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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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屈興國告訴半導體行業觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實現4.5KV和3KA的功率,再加上簡易的串聯實施,這些產品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網發展...
IGBT是主要用作電子開關的三端子功率半導體器件,正如其開發的目的,結合了高效率和快速的開關功能,它在許多應用中切換電力,像是變頻驅動(VFD)、電動汽...
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現代IGBT應用而設計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能...
本文首先介紹了IGBT的概念與結構,其次對IGB模塊原理電路進行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及...
通常情況下,為了防止出現寄生IGBT通道的情況發生,國內通常有兩種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發射極之間的電容,第二是通過使用負門極驅動。如果...
SiC作為寬禁帶半導體材料,與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數高、載流能力大、開關速度快、可高溫工作等優點,適用于高壓、高溫、高頻等領域的應用。
IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅動電機,為汽車運行提供動力。當電驅動系統工作時,逆變器從電池組獲取直流電,并轉換成交流電來驅動電機。...
電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導體...
在一些電力電子應用場合,不僅需要高壓IGBT模塊有優異的性能,還需要具有相當高的可靠性;為了滿足實際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達到30年,所以,...
igbt模塊逆變器電路圖大全(六款igbt模塊逆變器電路設計原理圖詳解)
本文主要介紹了igbt模塊逆變器電路圖大全(六款igbt模塊逆變器電路設計原理圖詳解)。全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題,正常工作情況下...
分布式能源與充電站一體化解決辦法分析以及共直流母線IGBT充電集如何助力
但是,分布式能源和汽車充電站一體化發展的傳統實現方式還具備單向傳遞、能源逆變損耗大、效率低等劣勢。為此,深圳市安和威電力科技股份有限公司推出了“光儲充”...
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