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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

對MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說明

本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...

2018-01-31 標(biāo)簽:二極管mosfet拓?fù)?/a> 6.8萬 1

igbt芯片工藝流程

igbt芯片工藝流程

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此...

2018-01-26 標(biāo)簽:三極管igbt晶體管 2.9萬 0

電磁爐igbt好壞判斷方法_電磁爐igbt好壞的測量方法

電磁爐igbt好壞判斷方法_電磁爐igbt好壞的測量方法

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電,避免影...

2018-01-26 標(biāo)簽:萬用表igbt電磁爐 5.4萬 0

電磁爐igbt驅(qū)動電路圖

電磁爐igbt驅(qū)動電路圖

絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作,它集功率晶體管 GTR 和功率場效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)于一身,自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 的特...

2018-01-26 標(biāo)簽:igbt電磁爐igbt驅(qū)動 4.4萬 0

igbt和可控硅的區(qū)別

igbt和可控硅的區(qū)別

可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(...

2018-01-26 標(biāo)簽:可控硅晶閘管igbt 4.1萬 0

什么是igbt模塊_igbt起什么作用

什么是igbt模塊_igbt起什么作用

IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻...

2018-01-26 標(biāo)簽:三極管igbtigbt模塊 5.1萬 0

干貨分享!青銅劍高集成度、高性價(jià)比新型車用門極驅(qū)動

針對特性的需求可提供完整的高性能解決辦法,同時(shí)取得更好的EMC性能。目前市場上車用IGBT門極驅(qū)動器基本都是采用集成化的方案,分為光耦隔離和數(shù)字式隔離兩種方式。

2018-01-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制汽車電子igbt 1995 0

一文解讀IGBT驅(qū)動關(guān)鍵技術(shù)及過流和短路保護(hù)

一文解讀IGBT驅(qū)動關(guān)鍵技術(shù)及過流和短路保護(hù)

為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅(qū)動問題,本文提出了驅(qū)動電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)方案。同時(shí),在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性,提出了極端工況IGB...

2018-06-17 標(biāo)簽:過流保護(hù)IGBT短路保護(hù) 3.4萬 0

IGBT驅(qū)動模塊控制器焊接系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案推薦

IGBT驅(qū)動模塊控制器焊接系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案推薦

作為一種先進(jìn)的制造技術(shù),具有應(yīng)用范圍廣、工藝靈活性好、加工精度高、質(zhì)量好、生產(chǎn)過程清潔以及便于實(shí)現(xiàn)自動化、柔性化、智能化和提高產(chǎn)品質(zhì)量、勞動生產(chǎn)率等優(yōu)點(diǎn)...

2018-01-13 標(biāo)簽:IGBT光纖傳輸新能源電池 1.1萬 0

伺服驅(qū)動器的七個(gè)故障原因分析與處理方法

伺服驅(qū)動器是用來控制伺服電機(jī)的一種控制器,其作用類似于變頻器作用于普通交流馬達(dá),屬于伺服系統(tǒng)的一部分,主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。一般是通過位置、速度和...

2018-01-12 標(biāo)簽:dspigbt伺服驅(qū)動器 4.2萬 0

如何用萬用表判斷IGBT的好壞

如何用萬用表判斷IGBT的好壞

本文主要介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及如何用萬用表判斷IGBT的好壞。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場...

2018-01-12 標(biāo)簽:萬用表igbt晶體管 6.2萬 1

基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景

基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景

中國的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預(yù)計(jì)將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關(guān)IGBT,相...

2018-01-11 標(biāo)簽:晶閘管igbt柔性直流輸電 1.2萬 0

變頻器的輸入與輸出端接反后果與措施分析

變頻器工作原理是將交流電經(jīng)整流橋整流成直流電后,再經(jīng)逆變電路逆變成三相交流電,一旦將電源線接到變頻器的輸出端(U、V、W)時(shí),則任意一個(gè)送變晶體管因得到...

2018-01-08 標(biāo)簽:變頻器igbt逆變電路 4.1萬 0

采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能 而冷卻需求卻在下降

采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能 而冷卻需求卻在下降

合成的碳化硅粉末自1893年以來已經(jīng)批量生產(chǎn),采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但節(jié)能效果也很顯著,而且所有這些都不會將關(guān)鍵負(fù)荷轉(zhuǎn)移到電網(wǎng)中,不會...

2018-01-06 標(biāo)簽:upsigbt碳化硅 6121 0

交流斬波技術(shù)在城市照明節(jié)電器上如何應(yīng)用?附原理圖

交流斬波技術(shù)在城市照明節(jié)電器上如何應(yīng)用?附原理圖

隨著人類社會的不斷發(fā)展,能源問題日益成為所有國家面臨的重大問題,尋找干凈的新型能源和節(jié)能降耗將成為人類社會發(fā)展的永恒主題。城市照明用電是電能的消耗大戶,...

2018-01-06 標(biāo)簽:濾波電容IGBT交流斬波 1.6萬 0

更高性能!更低成本!青銅劍科技力推新能源車用IGBT驅(qū)動系列方案

一、 概 述 近年來,在國家政策支持下,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅猛。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù),2017年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成63.9萬輛...

2017-12-29 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT青銅劍科技 1.1萬 0

大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案

電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...

2017-12-25 標(biāo)簽:CMOSMOSFETIGBT 1.3萬 0

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

對SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹

眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一...

2017-12-21 標(biāo)簽:igbtsicmosfet 3.7萬 0

igbt模塊怎么測量好壞

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 7.2萬 0

igbt主要材料及參數(shù)介紹

igbt主要材料及參數(shù)介紹

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...

2017-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 2.8萬 1

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    SDK
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