完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:2848個(gè) 瀏覽:249805次 帖子:479個(gè)
新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。
2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 696 0
階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...
IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能,它在許多應(yīng)用中切換電力,像是變頻驅(qū)動(dòng)(VFD)、電動(dòng)汽...
2018-07-12 標(biāo)簽:igbt安森美半導(dǎo)體 690 0
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 689 0
高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
2023-07-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器asicIGBT 688 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 682 0
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì),大...
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開關(guān)速度高...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 664 0
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 656 0
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,...
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 645 0
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |