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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2840個 瀏覽：249503次 帖子：479個

      igbt技術

      igbt的使用方法

      IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入...

      2017-12-14 標簽：半導體igbt晶體管 1.6萬 0

      選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了！

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      IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻...

      2017-12-11 標簽：mosfetigbt 2.6萬 0

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      2018-06-29 標簽：驅動器igbt功率 815 0

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      2018-06-29 標簽：驅動igbt功率 4483 0

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      2018-06-20 標簽：IGBT 1.8萬 0

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      改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位，就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此，整流器在...

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      2017-11-28 標簽：mosfetigbt 1.0萬 0

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      綜合不同型號和不同的使用環境中的數臺變頻器維修情況，總結出變頻器igbt模塊損壞的主要原因是使用環境的惡劣，使得門極驅動卡上電子元件損壞以及變頻器的散熱...

      2017-11-23 標簽：變頻器igbt 4.5萬 0

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      由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強

      2017-11-21 標簽：mosfet整流二極管igbt 7.8萬 0

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