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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路,設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
本文對IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸
對于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會...
2024-05-11 標簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 458 0
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個專業(yè)性很強的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個步驟。
電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢以及市場前景十分樂觀,但想要在競爭激烈的市場中占有更大的份額,...
2024-12-12 標簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 449 0
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴格的要求,最重要的是與實現(xiàn)更高的效率(...
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實用性已得到充分驗證。它是推動全球向可持續(xù)供暖趨勢發(fā)展的核心力量,運行所需的電力具有低排放的特點。在與傳統(tǒng)鍋...
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 431 0
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-07-30 轉(zhuǎn)向綠色氫氣有望減少溫室氣體排放。來自水電、風(fēng)能和太陽能等可再生能源的電...
2024-10-02 標簽:電力系統(tǒng)IGBTDC 428 0
當前,在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國經(jīng)濟快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
電動汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計發(fā)展報告
高電壓會導(dǎo)致壓縮機、PTC和電機驅(qū)動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
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