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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

高性能CIPOS Maxi轉模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術。由...

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投資近5億，林眾電子研發及智能質造中心正式啟用

來源：上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日，上海林眾電子科技有限公司（以下簡稱林眾電子）研發及智能質造中心正式啟用。其位于上海市松江區，占地...

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?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產生的可變直流電壓轉換為市電頻率的交流電（AC），以供電網使用或反饋回商用輸電系統。逆變器的主要功能...

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森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。

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宏微科技受邀出席中國電源學會展覽會

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中國IGBT芯片細分應用領域分析高壓IGBT打破國外技術壟斷

來源：電力電子技術與應用 1、中國 IGBT芯片應用領域：三大類產品的應用場景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件，是由B...

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MOS管和IGBT的區別

在現代電子技術中，功率半導體器件是實現電能轉換和控制的關鍵組件。MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是兩種廣泛使用...

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IGBT 和 MOSFET 驅動器-延展型 SO-6 封裝，實現緊湊設計、快速開關和高壓

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翠展微電子IGBT產品的獨特優勢

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森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能，在電力電子領域引起了廣泛關注。

2024-10-17 標簽：IGBT 高速開關森國科 310 0

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