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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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招生通知｜IGBT基礎培訓班

對于每一位從事電力電子技術的工程師來說，功率半導體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰性的工作。IGB...

2024-06-19 標簽：三極管二極管電子系統 599 0

V0阻燃等級氮化硼高導熱絕緣片

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陶瓷燒結厚膜電路：高功率IGBT、高頻、堅固耐用

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在相同的外形尺寸和熱閾值下，QDual3模塊能提供高出10%的功率 ? 2024 年6月12日-- 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsem...

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上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實現單機2MW儲能變流器

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安森美發布高功率密度IGBT模塊，助力能源系統優化

在智能電源和感知技術領域，美國納斯達克上市的安森美公司（onsemi，股票代碼：ON）再次展現其技術實力。近日，該公司正式發布了第7代1200VQDua...

2024-06-12 標簽：安森美 IGBT 功率模塊 1014 0

安森美發布第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊

近日，智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，最新發布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IG...

2024-06-12 標簽：安森美 IGBT 功率模塊 668 0

牽引逆變器需求開始回暖，性能持續提升推動電氣化進程

電子發燒友網報道（文/李寧遠）近日，TrendForce發布了最新的全球電動車逆變器市場數據，數據顯示，因受電動車傳統淡季影響，2024年第一季全球牽引...

2024-06-08 標簽：逆變器 IGBT SiC 8632 0

極海推出首款GHD3440電機專用柵極驅動器

? 柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現功率器件更有效的導通和關斷。隨著各種智能電子設備的不斷普及和應用，...

2024-06-07 標簽：電機 IGBT 柵極驅動器 1.7萬 0

測量IGBT的門級可以用低壓探頭嗎?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種集成了MOSFET和雙極型晶體管特性的功率半導體器件。在實際的工程應...

2024-06-06 標簽：IGBT 低壓探頭 332 0

英飛凌攜手上能電氣，共繪儲能新篇章

2024年6月，中國上海訊——近日，英飛凌宣布與上能電氣股份有限公司達成合作，為上能電氣提供業界領先的1200VEconoDUAL3功率模塊，用于2MW...

2024-06-06 標簽：英飛凌電氣 IGBT 797 0

國產科學儀器走出去：武漢普賽斯IGBT靜態參數測試系統出口國際市場

前言隨著全球科技水平的提高和科學研究的深入，科學儀器成為各個國家和地區科研機構、高校和企業必不可少的工具。受益于全球第三代半導體產業跑馬圈地擴張產能，測...

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“聚勢賦能共赴未來”，2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會，已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導體產業領域規模最大、規格最...

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攬獲殊榮！普賽斯儀表榮獲“金翎獎”功率半導體領域2024年度優質供應商獎項

全球半導體技術的迅猛發展，暢通著能源產業的命脈。新能源時代，功率半導體成為中國半導體產業的名片之一。4月23日，CIAS2024功率半導體新能源創新發展...

2024-06-05 標簽：可控硅 IGBT GaN 727 0

捷捷微電與晶能微電子深化合作，共繪半導體產業新篇章

近日，捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司（簡稱“晶能”）在吉利科技大廈隆重簽署戰略合作協議。此舉標志著雙方在工控IGBT領域的合作將進一步加...

2024-06-03 標簽：半導體 IGBT 捷捷微電 1009 0

可降低功耗的內置SiC二極管的IGBT

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2024-06-03 標簽：IGBT 功率器件 SiC 1627 0

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