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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱:三福半導(dǎo)體)成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的揭牌儀式。
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)M...
東風(fēng)汽車:智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)
5月22日,東風(fēng)汽車官方發(fā)布消息表示,該司已聯(lián)手中國中車在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體,旨在通過自主研發(fā)突破,掌握生產(chǎn)車規(guī)級(jí)IGBT模塊的技術(shù),并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)...
2024-05-22 標(biāo)簽:IGBT碳化硅東風(fēng)汽車 784 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...
英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管,如Co...
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP?2 .xt模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用
大功率牽引和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用需要高魯棒性,高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術(shù)的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I
在IGBT雙脈沖測(cè)試中需要用到兩個(gè)脈寬和間隔可調(diào)的脈沖信號(hào),通常可以使用控制板編寫程序來實(shí)現(xiàn),但這種方式不太靈活,更換不同控制板平臺(tái)需要重新編寫程序,而...
2024-05-09 標(biāo)簽:IGBT信號(hào)發(fā)生器 516 0
貝茵凱車規(guī)級(jí)產(chǎn)品亮相,助力汽車行業(yè)新潮
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規(guī)級(jí)硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達(dá)750V,額定電流275A,適用于生產(chǎn)550A-9...
2024-04-29 標(biāo)簽:芯片IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 679 0
CIAS2024金翎獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮:上海貝嶺兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品榮獲兩大獎(jiǎng)項(xiàng)
CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)于2024年4月23日在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉行。
2024-04-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率半導(dǎo)體 948 0
時(shí)代半導(dǎo)體獲43.28億戰(zhàn)略投資 助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
作為株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司的旗下子公司,時(shí)代半導(dǎo)體自1964年起專注于功率半導(dǎo)體技術(shù)的研究和產(chǎn)業(yè)化,現(xiàn)已成為全球領(lǐng)先的IDM企業(yè)之一,掌握了大功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:大功率半導(dǎo)體技術(shù)IGBT 525 0
SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...
士蘭微電子車規(guī)級(jí)MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場(chǎng)力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉辦,士蘭微...
萬次循環(huán)已成儲(chǔ)能標(biāo)配,IGBT成壽命關(guān)鍵
儲(chǔ)能產(chǎn)品發(fā)展到今天,其技術(shù)變化日新月異,而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少廠商競爭的焦點(diǎn)。市場(chǎng)中超過萬次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配,許多企業(yè)還承諾儲(chǔ)能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到...
新能源汽車蓬勃發(fā)展,IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張
IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,對(duì)新能源汽車的性能有著直接影響,尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì),IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%...
瑞薩電子功率半導(dǎo)體專用 300 毫米晶圓甲府工廠開始運(yùn)營
來源:Renesas Electronics 在甲府工廠開幕式上,瑞薩電子承諾擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,以支持電動(dòng)汽車不斷增長的需求 開幕式上:左二為瑞薩電...
功率半導(dǎo)體器件IGBT及新材料工藝技術(shù)發(fā)展
功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體是一種廣泛用于電力電子裝置和電能轉(zhuǎn)換和控制電路的半導(dǎo)...
2024-04-14 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件新材料 1152 0
大功率電機(jī)控制系統(tǒng)引領(lǐng)高效能動(dòng)力新時(shí)代
在當(dāng)今這個(gè)追求效率、倡導(dǎo)節(jié)能環(huán)保的時(shí)勢(shì)下,高性能的電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)憑借其強(qiáng)勁的功率輸出和精細(xì)的操控能力,已逐漸成為現(xiàn)代機(jī)械設(shè)備中不可或缺的核心組件。
2024-04-14 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)電動(dòng)機(jī)IGBT 747 0
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