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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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青銅劍IGBT驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品手冊(cè)2014版立即下載
2017-04-17 標(biāo)簽:igbt 691 0
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2016-03-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT 687 0
變頻器IGBT模塊的故障與驅(qū)動(dòng)電路(電壓)的關(guān)系立即下載
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2010-01-25 標(biāo)簽:變頻器IGBTigbt應(yīng)用 676 1
2013-07-20 標(biāo)簽:IGBT 662 0
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