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ISSI是全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)器和模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體廠商;ISSI是為以下主要市場設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者: 汽車,通信,數(shù)字消費(fèi),以及 工業(yè)和醫(yī)療。
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4月12日,2023春季新品發(fā)布會(huì)上,漢王推出一款基于圖像識(shí)別技術(shù)的電子槍PK Gun。 這是繼2019年推出仿生撲翼飛
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(SRA
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲(chǔ)器(高達(dá)512K字節(jié)的
EMI502NF08VM-10C國產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片,使用(8
收購ISSI后,北京君正業(yè)績預(yù)計(jì)爆漲26倍以上?!
日前,北京君正發(fā)布2021年半年度業(yè)績預(yù)告,報(bào)告顯示,公司上半年歸屬上市公司凈利潤約3.13億元到4.03億元,同比增長
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
美國ISSI公司是為汽車和通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M
ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。32
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲(chǔ)器產(chǎn)
ISSI 是為以下主要市場設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者: 汽車,通信,數(shù)字消費(fèi),以及 工業(yè)和醫(yī)療。我們的主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。該公司還設(shè)計(jì)和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。我們以高性價(jià)比、高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)高增長市場,并尋求與客戶建立長期關(guān)系。我們一直是內(nèi)存產(chǎn)品的長期供應(yīng)商,包括低密度和小批量產(chǎn)品,即使在制造能力緊張的時(shí)期也是如此。
我們的外包制造模式基于與亞洲和國內(nèi)主要代工廠的聯(lián)合技術(shù)開發(fā)關(guān)系的歷史。我們還對(duì)選定的代工廠進(jìn)行戰(zhàn)略性股權(quán)收購。我們通過在中國、韓國和臺(tái)灣增加設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)來擴(kuò)大我們?cè)谥匾膩喼奘袌龅挠绊懥Γ覀儸F(xiàn)在在這些地方雇傭了 80 多名設(shè)計(jì)、產(chǎn)品和測(cè)試工程師。這些設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)補(bǔ)充了我們位于加利福尼亞州圣何塞總部的核心工程和產(chǎn)品管理團(tuán)隊(duì)。
近年來,對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容以幫助處理大量數(shù)據(jù)。
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偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片,使用(8)條公共輸入和輸出線,并具有一個(gè)...
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣...
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日前,北京君正發(fā)布2021年半年度業(yè)績預(yù)告,報(bào)告顯示,公司上半年歸屬上市公司凈利潤約3.13億元到4.03億元,同比增長2631.64%到3412.62...
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
美國ISSI公司是為汽車和通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
近年來,對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車,通信和數(shù)字消費(fèi),工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...
ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍(...
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
IS31BL3555-ZLS4 | IC LED DVR BOOST 2CH 16TSSOP |
獲取價(jià)格
|
|
IS31BL3555-ZLS4-TR | IC LED DVR BOOST 2CH 16TSSOP |
獲取價(jià)格
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|
IS25WP016-JBLE | IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP |
獲取價(jià)格
|
|
IS25WP016-JNLE | IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP |
獲取價(jià)格
|
|
IS62WV25616ALL-70BI | IC MEMORY ASYNC MBGA |
獲取價(jià)格
|
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