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lmg1210

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LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）驅動器，專為要求超高頻率、高效率的應用而開發，具有可調節死區時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側/低側匹配，以優化系統效率。

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TI推出業內最小、最快的GaN驅動器，擴展其GaN電源產品組合

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lmg1210簡介

　　LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）驅動器，專為要求超高頻率、高效率的應用而開發，具有可調節死區時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側/低側匹配，以優化系統效率。此部件還具備一個內部 LDO，可確保 5V 的柵極驅動器電壓（而與電源電壓無關）。

　　為了在各種應用中獲得最佳性能，LMG1210 允許設計人員選擇最佳的自舉二極管對高側自舉電容器充電。當低側不導通時，內部開關會關閉自舉二極管，以有效防止高側自舉過度充電，并將反向恢復電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開關損耗。

　　該 LMG1210 具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可將每個沿的死區時間從 0ns 調節為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內運行，并采用低電感 WQFN 封裝。

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lmg1210帖子

LMG1210和EPC8010使用半橋斬波出問題了

標簽：FPGA GaN晶體管 lmg1210 2587 1

lmg1210資料下載

從具有高頻可控精度的半橋中獲得最大功率立即下載

類別：電子資料 2024-10-14 標簽：最大功率半橋柵極驅動器

利用LMG1210實現GaN半橋設計的散熱和功耗降低立即下載

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lmg1210資訊

TI推出業內最小、最快的GaN驅動器，擴展其GaN電源產品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品...

2018-03-12 標簽：dc/dc 德州儀器氮化鎵 1.1萬 0

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