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MIS器件

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　　由金屬（M）-絕緣體（I）-半導體（S）組成的體系稱為MIS結構，以這種結構形成的器件稱為MIS器件（MIS二極管）。如果其中的絕緣體是SiO2，則相應地為MOS結構和MOS二極管。

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MIS器件簡介

　　MIS器件的功能主要決定于其中絕緣體層的厚度：（1）假若絕緣體層的厚度足夠大（對于絕緣體層是SiO2層的情況，大于5nm），則基本上不導電，這時即為MIS電容器；（2）假若絕緣體層的厚度足夠薄（對于絕緣體層是SiO2層的情況，大約為1nm），則絕緣體基本上不起阻擋導電的作用（阻抗極小），這時即為Schottky二極管。

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MIS器件,MIS器件是什么意思

MIS器件,MIS器件是什么意思以SiO2為柵介質時，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現過以Al2O3為柵介質的MAS器件和以Si3N4

2010-03-04 標簽：MIS器件 1482 0

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