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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應MOS管的哪個工作區?”這個問題,并得出Rdson對應的是可變電阻區的結論。在討論的過程中,提到了Vgs對MOS管...
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞
H橋電機驅動電路電路圖 H橋電機驅動電路的工作原理和控制方式
H橋電機驅動電路是一種廣泛應用于電機控制領域的電子電路,其名稱來源于其形狀類似于英文字母“H”的電路布局。H橋電路主要用于控制直流電機(包括有刷直流電機...
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IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 ...
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎知識。場效應管根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏...
尖峰電壓(或電壓峰值)是指在電氣系統中突然出現的瞬態過電壓,其峰值大于正常工作電壓的兩倍以上。尖峰電壓是由于閘刀分合、電弧熄滅、電動機負載突然切斷等原因...
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