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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
文章：2001個 瀏覽：67203次 帖子：1216個
電阻的特點是阻擋電能，電阻的關鍵參數有尺寸、阻值、精度和功率。電阻的應用場景非常多，都是圍繞著電阻的特性來使用的。
IGBT的結構中絕大部分區域是低摻雜濃度的N型漂移區，其濃度遠遠低于P型區，當IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
MOSFET工作在飽和區時，具有信號放大功能，柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導保持一定的約束關系，柵極的電壓和漏極的電流的關系就是MOSFET的傳輸特性。
1、三個極的判定 G極(gate)—柵極，不用說比較好認。 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。 D極(drain)—...
在嵌入式軟件開發中，經常需要根據硬件原理圖去進行GPIO口配置；如果你硬件知識一點都不懂，那么在開發中遇到問題，你就很難初步判定是硬件的問題，還是軟件配...
MOS管導通時電流大,斷開時電流小.我們一般說MOS管要慢開快關,這只是一個定性說法,要注意一度的問題,不是開通越慢越好,關斷越快越好.
異步整流的優缺點 異步整流在輸出電流變化的情況下，二極管的電壓降相當恒定，鍺管的壓降為0.3V，硅管的壓降為0.7V。 由于二極管的電壓降恒定，所以當流...
MOS 管的開啟與關閉 要研究這個自舉的由來，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓撲中...
場效應管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，分為結型（JFET）和絕緣...
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調制 (...
你要是想讀懂這篇文章，請先去了解MOS管的基礎知識，本文是在基礎之上做出的一部分擴展，可能有一點點深，請各位同學注意。
一般我們做單片機電路設計的時候，一般就是上電啟動，直接用開關來做上電。那我們手機，MP3這些設備一般都是一鍵長按然后開機。這樣做可以改善體驗，關鍵也不會誤觸發。
今天分析一下，工業現場0-10V輸出電路，這個電路是一個網上的開源的，今天主要分析一下0-10V輸出電路的實現。
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