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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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在時鐘系統部分主要介紹時鐘源選擇，PLL倍頻配置，時鐘分發等內容。在看門狗模塊部分主要介紹了開門狗復位的觸發路徑，看門狗模塊的工作原理，CPU EndI...
在實際產品設計中可以有多種電源方案，這里以一般的單片機產品為例，3.3V左右供電的系統，常見的有 USB供電、外接電源適配器供電 和 電池供電。
mos管因為內阻低，開發速度低被廣泛應用于開關電路中。mos管往往根據電源IC和mos管的參數選擇合適的驅動電路。
電流鏡的作用是無論外輸入電壓遇到波動還是大范圍變化，電流鏡的輸出電流總保持不變。Q1和Q2均工作在飽和區，且具有相等的柵源電壓的相同晶體管傳輸相同電流，...
在共源放大器和源跟隨器中，輸入信號都是加在MOS管的柵極。我們也可以把輸入信號加在MOS管的源端。共漏級在源端接受輸入，在漏端產生輸出。柵極接一個直流電...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬MOS管（Metal-Oxide-Se...
MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管（簡稱PMOS）和N溝道MOS管（簡稱NMOS），符號如下（此處只討論...
柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...
主控板STM32F302R8+驅動板X-NUCLEO-IHM07M1+直流無刷電機WR36BL61，采用六步換相法實現電機的正反轉驅動。
MOS場效應管（以下簡稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導體組成的MOS電容結構，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結構。
本文著重介紹了電源中保護電路設計過程，利用場效應管的導通電阻作為檢測電阻，監視它的電壓降，當電壓降超過設定值時就停止放電。在一般的情況下，電路中一般還加...
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
，對MOS管有較深理解的人都會知道，NMOS可以高效傳輸低電平，而PMOS可以高效傳輸高電平，兩者配合可以達到軌對軌輸出，而相反卻不可以（會有損耗），因...
MOS管，即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
當前固體微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件為主，隨著CMOS 工藝及電路設計技術的發展， 微光CMOS 圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技...
MOS管是屬于絕緣柵場效應管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。
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