mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

DDR3相較于DDR2有哪些特點(diǎn)？其設(shè)計(jì)規(guī)范有哪些？

存儲(chǔ)器一般來說可以分為內(nèi)部存儲(chǔ)器(內(nèi)存)，外部存儲(chǔ)器(外存)，緩沖存儲(chǔ)器(緩存)以及閃存這幾個(gè)大類。內(nèi)存也稱為主存儲(chǔ)器，位于系統(tǒng)主機(jī)板上，可以同CPU直...

2023-11-04 標(biāo)簽：DDR3 存儲(chǔ)器 MOS管 2007 0

兩級(jí)米勒補(bǔ)償放大器手算詳細(xì)過程

UnCox和UpCox以及單個(gè)mos的Cox要通過仿真得到，發(fā)現(xiàn)這些參數(shù)是和MOS的W和L弱相關(guān)的，不影響計(jì)算，不會(huì)有數(shù)量級(jí)的差異的。

2023-11-04 標(biāo)簽：MOS管電源電壓補(bǔ)償放大器 3236 0

講一講LOD效應(yīng)

LOD效應(yīng)也是DSM效應(yīng)的其中一種。DSM Effect即Deep Sub-Micron Effect，包括WPE、LOD、OSE、Hot carrie...

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管電流鏡 DSM 2977 0

WPE效應(yīng)的概念如何讓減小WPE效應(yīng)呢？

如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管輸出電壓 SCA 5647 0

晶體管level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的？

這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級(jí)工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細(xì)分析這個(gè)level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管電平轉(zhuǎn)換器晶體管 6261 0

穩(wěn)壓二極管電路設(shè)計(jì)

相比于肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管用得相對(duì)較少，我們來舉個(gè)例子。

2023-11-03 標(biāo)簽：二極管電路設(shè)計(jì)穩(wěn)壓二極管 1254 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 驅(qū)動(dòng)電流 9128 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵 GaN 734 0

C51單片機(jī)的IO口介紹(下)

上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來簡單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)

2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 C51單片機(jī) 2895 0

在PDK中是如何定義Vth的呢？

以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區(qū)留下負(fù)離子以鏡像柵上的電荷。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 6906 0

如何對(duì)Spectre下的LC-VCO進(jìn)行仿真驗(yàn)證？

LC-VCO的等效電路如圖1所示，實(shí)際應(yīng)用中L1和L2由帶中間抽頭的對(duì)稱電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。

2023-10-30 標(biāo)簽：振蕩器 MOS管 VCO 2264 0

同步和異步buck電路的對(duì)比

四種組合模式的簡化結(jié)構(gòu)對(duì)比圖如下圖所示，通過對(duì)比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關(guān)控制部分...

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管 MOS管 FET 3603 0

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖1：邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的

今天來聊聊我們常用的邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的。

2023-10-30 標(biāo)簽：邏輯電路 IC設(shè)計(jì)MOS管 3688 0

電路保護(hù)中的欠壓/過壓閉鎖實(shí)用巧設(shè)計(jì)

在電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用中，可能會(huì)遇到輸入電壓不穩(wěn)的情況。

2023-10-30 標(biāo)簽：MOS管比較器電源電壓 5488 0

小電流測量雜談

這個(gè)文章也是隨筆，最近有相關(guān)需求，小小的學(xué)習(xí)一下。

2023-10-30 標(biāo)簽：CMOS 電流 MOS管 847 0

7637電源防護(hù)設(shè)計(jì)(二)

如下圖，該參考設(shè)計(jì)中采用二極管進(jìn)行防反接，再通過一個(gè)穩(wěn)壓二極管進(jìn)行過壓鉗位，達(dá)到過壓保護(hù)的目的。即過壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，三極管關(guān)斷，從而關(guān)斷MOS管。MO...

2023-10-28 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 1440 0

7636電源防護(hù)設(shè)計(jì)(一)

采用二極管的方式進(jìn)行極性保護(hù)是最簡單直接、成本低的辦法。肖特基二極管具有最大100V正向壓降，硅二極管具有最高600V正向壓降，因此在我們這種極性保護(hù)電...

2023-10-28 標(biāo)簽：二極管 MOS管肖特基二極管 1177 0

AB類輸出級(jí)中浮動(dòng)電流源偏置問題解惑

M27和M28的跨導(dǎo)是怎么保持相等的？共模輸入變化的時(shí)候，M11和M17的柵壓會(huì)隨著電流改變，這樣M28、M27的源端電位也改變了

2023-10-27 標(biāo)簽：MOS管電流源負(fù)反饋 3585 0

一文詳解偏置電流源電路的對(duì)與錯(cuò)

下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結(jié)構(gòu)是對(duì)的？幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì)講這個(gè)例子，可是始終有人搞不清楚。

2023-10-27 標(biāo)簽：MOS管仿真器電流源 3022 0

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)...

2023-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管 1356 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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