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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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電力MOSFET都是通過增加N-漂移區的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態電阻的增大,當電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
從上圖可以看出沖擊電流很大,達23.0A,遠大于滿載工作電流(1A左右),板上電源設計指南要求是滿載工作電流的3~5倍,所以需要整改以達到板上電源要求,...
1、如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導通時,Rds...
MOS管的I/V特性 如前面所說,我們研究I/V特性不是為了推導而推導,只是為了讓我們更加清楚地了解MOS管的工作狀態,在后續的表達中可以更加簡潔精煉。
NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設計
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會燒壞,那電路如何防反接?首當其沖我們想到的就是二極管了,運用其單向導通特性可有效防止電源反接而損壞電路...
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