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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)。它具有許多優點和局限性,下面將詳細介紹這些優點和局限性。 優...
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MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制構成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導體場效應晶體管)作為電子工...
寄生電感和MOSFET的交互關系是什么?雙向開關電感電路圖分析設計
最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時間,比傳統的TO247封裝短。得益于開關損耗降低,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實現了更...
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MOS管的特性表明,當Vgs小于一定電壓(Vth)時,DS極之間的電阻Rds是很大的,可以認為開路,電流不能通過;當Vgs達到Vth時,MOS管開始導通...
MOS管的結構主要由三個區域組成:柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。其中,柵極和漏極都是金屬電極,源極可以是金屬或半導體材料。
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