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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章：2001個(gè) 瀏覽：67207次 帖子：1216個(gè)
高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)原理解析
在進(jìn)行電流采樣，開關(guān)電路的設(shè)計(jì)時(shí)候不免會(huì)遇到高低端的問題，一直也沒有很清楚的搞明白（其實(shí)之前做東西的時(shí)候高低端是有感覺的，但是沒有完全搞明白），看了網(wǎng)上...
2023-09-20 標(biāo)簽：電源開關(guān)電路MOS管 1.3萬 0
Pspice電路仿真入門：基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路
你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件，他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn)，瞬態(tài)分析，和一些穩(wěn)定性分析。那么我...
今天，在LT1492的手冊(cè)里，看到一個(gè)運(yùn)算放大器和MOS管組成的恒流源電路，與各位同好一起分析一下原理以及使用注意事項(xiàng)。
2023-09-19 標(biāo)簽：電路圖運(yùn)算放大器MOS管 4373 0
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
只要是電子產(chǎn)品就需要供電，就離不開電源，那什么是電源：小到手表中的電子，遙控器的電源，大到220V家庭用電，都可以看做是電源。然而在我們的電路設(shè)計(jì)中，會(huì)...
2023-09-19 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管電感 1860 0
DC-DC轉(zhuǎn)換器電路圖 Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的工作原理
DC-DC轉(zhuǎn)換器分為三類：Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器、BUCK降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器以及 Boost-BUCK升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器三種，如果電...
2023-09-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DC-DC 3403 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū)，其中一個(gè)稱源，用S表示，...
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。
不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f，共柵級(jí)與共源級(jí)是一樣的。回看單級(jí)放大器1中的電阻負(fù)載的共源級(jí)，與圖3.1.1相比，兩者最大的不同是共源級(jí)從柵極輸入信號(hào)，而共柵級(jí)從源極輸入信號(hào)。
求一種不對(duì)稱輕失配運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)方案
以應(yīng)用于數(shù)模混合信號(hào)芯片中的運(yùn)算放大器為對(duì)象，完成芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的全流程，包括運(yùn)算放大器的電路和版圖設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)階段的前仿和后仿驗(yàn)證、以及對(duì)PDK的驗(yàn)證全流程實(shí)驗(yàn)。
2023-09-18 標(biāo)簽：電阻器運(yùn)算放大器MOS管 986 0
此次項(xiàng)目主要是基于瑞薩HMI board 開發(fā)板實(shí)現(xiàn)音樂播放器功能，主要可以實(shí)現(xiàn)sd卡wav 文件掃描，音樂播放，音量調(diào)節(jié)、上一曲、下一曲音樂播放。
我們?cè)趯懣鐚?dǎo)gm的表達(dá)式時(shí)，知道gm有三種表達(dá)式。表達(dá)式含有的變量其實(shí)只有三個(gè)，一個(gè)W/L，一個(gè)Vgs-Vth，還有一個(gè)Id。
對(duì)于硬件開發(fā)，往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方，一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng)，另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。
2023-09-17 標(biāo)簽：三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3357 0
如下圖，左邊的保護(hù)二極管會(huì)將io的最大輸入電壓鉗位到VDD+Vd(二極管正向?qū)妷?，最小電壓為鉗位到VSS-Vd;這樣如果有過壓輸入，可以一定程...
穩(wěn)壓二極管，學(xué)名齊納二極管;網(wǎng)傳有降血壓的用處(假的)，既然不能降血壓，那么穩(wěn)壓二極管會(huì)在什么電路里用到呢?
2023-09-15 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管過壓保護(hù) 2052 0
按鍵開關(guān)機(jī)電路圖 按鍵開關(guān)機(jī)電路設(shè)計(jì)方案
最近做個(gè)基于STM32腦波檢測(cè)的項(xiàng)目，甲方爸爸要求使用按鍵進(jìn)行開關(guān)機(jī)。在網(wǎng)上查了一些資料，找到了很多案例分享，在此進(jìn)行總結(jié)。
為了選出一個(gè)合適的LDO ，我們需要注意一些關(guān)鍵的指標(biāo)，它們包括：輸入電壓值VIN?(min),VIN?(max),輸出電壓和輸出電流VOUT,IOUT...
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