mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

半波倍壓整流電路的工作原理

　　通常情況下的三極管(或者M(jìn)OS管)驅(qū)動電路如下所示，使用LED代替負(fù)載(例如電機或者其他等)，當(dāng)三極管基極的控制IO輸出高電平時三極管導(dǎo)通，LED燈...

2023-09-14 標(biāo)簽：led 三極管 MOS管 1313 0

三極管控制MOS管整體功耗偏大的原因

　　今天在群里看到道友發(fā)來一張NPN三極管控制PMOS的電路圖，提問是為什么整體功耗偏大?那么您有沒有發(fā)現(xiàn)為什么整體功耗偏大呢?電路圖如下。

2023-09-14 標(biāo)簽：三極管電路圖 MOS管 1617 0

單片機怎么控制大電流器件

單片機控制大電流器件，這是嵌入式設(shè)計當(dāng)中很常見的技術(shù)，單片機屬于低功耗微處理器，I/O口的輸出電流一般都10mA以內(nèi)。若想將微弱的電流進(jìn)行放大控制，一般...

2023-09-14 標(biāo)簽：三極管單片機負(fù)載 3187 0

SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管 IGBT PN結(jié) 1383 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說的簡單點就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫原理圖一樣，開始是設(shè)計庫，后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 3294 0

L99LDLH32芯片的工作原理

汽車的LED尾燈，是如何做的呢？

2023-09-13 標(biāo)簽：led 二極管元器件 573 0

一文詳解IIC總線

IIC（Inter-Integrated Circuit）是一個多主從的串行總線，又叫I2C，是由飛利浦公司發(fā)明的通訊總線，屬于半雙工同步傳輸類型總線。

2023-09-12 標(biāo)簽：上拉電阻寄存器 MOS管 2300 0

淺談從直流有刷電機到直流無刷電機驅(qū)動

童年的四驅(qū)車幾乎是我們第一次近距離接觸馬達(dá)。想必有動手能力強一些的小伙伴還拆過，改裝過馬達(dá)吧。其實它就是一種結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)的直流有刷電機（BDC）。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOS管霍爾傳感器三相逆變器 2470 0

開關(guān)電源共模傳導(dǎo)發(fā)射分析

從上圖可以看出，開關(guān)電源在MOS管通斷過程中，變壓器的原邊以及變壓器原邊與MOS管漏極連接的導(dǎo)線部分電壓在快速變壓，這部分大的就是共模傳導(dǎo)發(fā)射的噪聲源。

2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管散熱器 834 0

開關(guān)電源差模傳導(dǎo)發(fā)射抑制措施分析

開關(guān)電源的差模傳導(dǎo)發(fā)射從源頭上解決就是減小開關(guān)電流的頻譜包絡(luò)，從而減小噪聲源的各個頻率分量。

2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電容 MOS管 1081 0

開關(guān)電源RCD吸收電路消除高頻干擾

開關(guān)電源中除了我們常規(guī)介紹的差模噪聲源和共模噪聲源，還存在一些其它的噪聲源也應(yīng)該解決，這些高頻噪聲源同樣會帶來電磁兼容問題，因此我們需要關(guān)注

2023-09-11 標(biāo)簽：RCD吸收電路開關(guān)電源整流二極管 3785 0

芯片中的晶體管是如何安上去的呢

這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管。

2023-09-11 標(biāo)簽：芯片 MOSFET MOS管 856 0

開關(guān)電源buck電路SW點測量實例

對于絕大部分buck芯片而言其上下兩管都集成到芯片內(nèi)部，那么該如何觀測兩管的工作狀況呢?實際應(yīng)用中我們通過觀測上下兩管交替點的電壓來判斷上下MOS管的開...

2023-09-11 標(biāo)簽：BUCK MOS管變換器 2480 0

EPROM存儲器的基本結(jié)構(gòu) Flash存儲器和EEPROM存儲器的區(qū)別

　　EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)是一種具有可擦除功能的ROM內(nèi)存，寫入前必須先把里面的內(nèi)容...

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 ROM 2314 0

Flash存儲器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 MOS管 5965 0

開關(guān)電源的優(yōu)缺點、作用及基本結(jié)構(gòu)

　開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài)，實現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對...

2023-09-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源 MOS管 6164 0

IC版圖設(shè)計布局經(jīng)驗90條！

Contact面積允許的情況下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因為電流較大.但如果contact阻值遠(yuǎn)大于diffusion則不適用...

2023-09-08 標(biāo)簽：電容 IC MOS管 758 0

以MOS管逆變橋為例分析驅(qū)動器的干擾源特性

隨著工控行業(yè)對能效與控制精度的追求，及在寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用基礎(chǔ)上，電機控制器（驅(qū)動器）的開關(guān)速度與控制頻率越來越高，使得EMI問題成為了行業(yè)難題

2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器 MOS管電機控制器 1327 0

GD32E503C-SMPS開關(guān)電源解決方案

BUCK電路是一種降壓型電路，它的特征是輸出電壓低于輸入電壓，通過控制MOS管的占空比，可以將高電壓轉(zhuǎn)換至低電壓，轉(zhuǎn)換效率較高。

2023-09-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管 smps 989 0

TTL電路和CMOS電路的區(qū)別

在工作中，會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認(rèn)識一般為：OD門是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控...

2023-09-07 標(biāo)簽：CMOS 元器件 TTL 1400 0

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