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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電路上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-07-12 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4823 0
如何防范開(kāi)關(guān)電源emi?這些技巧你得知道
作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
2017-11-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源emimos管 4815 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與電路布線設(shè)計(jì)
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來(lái)源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來(lái)高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來(lái)簡(jiǎn)單盤(pán)一盤(pán)。
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會(huì)導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動(dòng))。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...
最近使用LDO較多,整理出了一些它的選型要素及注意點(diǎn),在這里同大家一起分享下,有補(bǔ)正歡迎在評(píng)論區(qū)留言。
2022-08-31 標(biāo)簽:ldoMOS管線性穩(wěn)壓器 4752 0
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好,到底是哪里出了問(wèn)題?本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng) 4739 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
二極管反向恢復(fù)電流輻射發(fā)射問(wèn)題分析調(diào)試與解決方案
二極管正向?qū)〞r(shí),電子存儲(chǔ)在P區(qū),空穴存儲(chǔ)在N區(qū),此現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。外加反向電壓時(shí),電子和空穴分別往相反方向移動(dòng),形成反向漂移電流,同時(shí)與其他多數(shù)...
前言本文以龍騰MOS管為基礎(chǔ),分享幾種PD快充目前最常用最有效的幾種拓部結(jié)構(gòu),與應(yīng)用方式。可以幫助到大家更全面的了解PD快充的原理以及應(yīng)用技巧。一、快充...
電源緩啟動(dòng)電路作用 MOS管為什么需要電源緩啟動(dòng)
R2/R1和C1:實(shí)現(xiàn)防抖動(dòng)延時(shí)功能,R1給C1提供快速放電通道;R1/R2分壓值大于D3的穩(wěn)壓值;R2選20K歐姆,R1選10K,C1選4.7uF左右...
2023-07-31 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓二極管MOS管 4691 0
在IIC主從設(shè)備連接時(shí),需要考慮主從設(shè)備的電平情況,常規(guī)的主要有3種:5V、3.3V、1.8V,如果電平相同,那么就直接連接;若電平不同,一個(gè)高電平是5...
對(duì)于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動(dòng)的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...
MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能和開(kāi)關(guān)條件
借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值,說(shuō)明是N溝道,若情況相反是P溝道。
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