mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

Atmega328單片機(jī)引腳原理圖和電阻測(cè)試方法

同樣是5V，為什么單片機(jī)輸出的電流只有幾毫安？

2023-07-18 標(biāo)簽：原理圖單片機(jī)MOS管 2752 0

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2023-07-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管 DCM 1.4萬(wàn) 0

MOS管典型應(yīng)用電路圖 MOS管常見的幾種應(yīng)用電路

MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。

2023-07-17 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路放大電路 1.1萬(wàn) 0

SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對(duì)比

屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度：0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um

2023-07-14 標(biāo)簽：MOS管雪崩二極管 DMOS 788 0

超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型

寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管電源電壓寄生電容 941 0

鋰電池保護(hù)板的主要功能（電池保護(hù)板原理圖）

鋰電池保護(hù)板的主要功能是保證鋰電池的安全運(yùn)行，包括過充保護(hù)、過放保護(hù)、短路保護(hù)、溫度保護(hù)以及一些情況下的均衡充電功能。

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管鋰電池保護(hù)電池保護(hù)板 9637 0

鋰電池保護(hù)板的構(gòu)成鋰電池保護(hù)板如何選擇MOS管

鋰電池保護(hù)電路，鋰電池鋰電池保護(hù)板（可充型）之所以需要保護(hù)，是由它本身特性決定的。由于鋰電池保護(hù)板本身的材料決定了它不能被過充、過放、過流、短路及超高溫...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管鋰電池保護(hù)鋰電池保護(hù)板 7095 0

超結(jié)MOSFET的開關(guān)特性

寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管電源電壓 VDS 524 0

講講單相全橋逆變器的原理及其建模

單相逆變器常見的調(diào)制方法有：?jiǎn)螛O性SPWM調(diào)制、雙極性SPWM調(diào)制和單極性等效雙極性SPWM調(diào)制

2023-07-13 標(biāo)簽：蓄電池 MOS管 PSIM 1.1萬(wàn) 0

求一種電流前饋雙閉環(huán)PI控制器逆變仿真設(shè)計(jì)方案

逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無(wú)差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽：電感器 MOS管逆變器 1550 0

IGBT短路特性

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 557 0

Buck電路的原理及器件選型指南

本文詳細(xì)介紹了Buck電路的原理以及相關(guān)器件的選型，希望可以幫到有需要的朋友。

2023-07-13 標(biāo)簽：電源控制器濾波電容 1745 0

IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽：三極管 IC設(shè)計(jì)MOS管 1902 0

基于SG3525的推挽電路仿真設(shè)計(jì)

光伏逆變器前級(jí)往往需要先升壓，再進(jìn)行逆變。低壓通過高頻升壓的主要目的是減小逆變器體積、提高功率密度、減小損耗，提高效率。但高頻同樣也面臨諸多問題，如電磁...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管推挽電路光伏逆變器 7460 0

電流前饋P+PI控制器設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)？

逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無(wú)差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管逆變器諧振器 1923 0

2kW高頻逆變器學(xué)習(xí)干貨

現(xiàn)代設(shè)備對(duì)電源的性能要求越來(lái)越高，未來(lái)電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管高頻逆變器電池供電 3212 0

什么是FET？FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

FET 的全名是“場(chǎng)效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來(lái)說(shuō)明。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 FET 3109 0

電液控制常用電路

脈寬調(diào)制（PWM）一般用于控制電液比例閥。

2023-07-12 標(biāo)簽：示波器 MOS管電源電壓 1039 0

65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281介紹

65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個(gè)高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器，專門為需六級(jí)能效的開關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管 579 0

如何用運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的過流保護(hù)電路

過流保護(hù)電路種類繁多，電路的復(fù)雜性取決于保護(hù)電路在過流情況下的反應(yīng)速度。下面這個(gè)電路使用很常見的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的過流保護(hù)電路。

2023-07-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 MOS管比較器 4240 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無(wú)源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負(fù)載。電源濾波器的原理就是一種——阻抗適配網(wǎng)絡(luò)：電源濾波器輸入、輸出側(cè)與電源和負(fù)載側(cè)的阻抗適配越大，對(duì)電磁干擾的衰減就越有效。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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