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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3426 0
DC-DC轉(zhuǎn)換器電路圖 Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的工作原理
DC-DC轉(zhuǎn)換器分為三類:Boost升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器、BUCK降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器以及 Boost-BUCK升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器三種,如果電...
2023-09-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管DC-DC 3407 0
給大家一個(gè)很有意思的小制作,一個(gè)能夠改變LED燈亮度的小電路,這個(gè)電路效果還挺好,能夠很明顯觀察到LED燈亮度變化的過程,而且既可以連續(xù)變化又可以間斷變...
Pspice電路仿真入門:基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路
你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個(gè)非常好用的仿真軟件,他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點(diǎn),瞬態(tài)分析,和一些穩(wěn)定性分析。那么我...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當(dāng)電流比較大時(shí),管壓降和損耗會(huì)明顯加大,因此MOSFET特別適合...
先從理論上分析MOS管選型是否合理,從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù),包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。 在確保實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓大于導(dǎo)通電...
對于硬件開發(fā),往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方,一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng),另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。
2023-09-17 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3358 0
把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D,此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大,如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù),說明被測管有漏電現(xiàn)象,此管不能用。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作原理 MOSFET作為開關(guān)的作用
當(dāng)我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時(shí),有時(shí)候希望通過 MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個(gè)需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...
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