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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
文章：2001個 瀏覽：67214次 帖子：1216個
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。
怎么實現直流24V兩條線，無論正接還是反接都能輸出正24V電壓，最簡單的辦法是使用二極管來改變電流的方向，從而實現無極性輸入。
所有器件接線端子、焊盤以及引線中都存在寄生電感，這部分寄生電感雖然不會消耗能量（元件本身不發熱），但是通常會在開關的某一時刻向鄰近電路的電阻性元件泄放其...
開關電源主要由：開關管（BJT/MOS管），續流二極管（肖特基二極管/快恢復二極管），電感器以及電容器組成；
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。
如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。
柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...
我們在電源設計及調試過程中，當碰到問題的時候，應該將自己的思想進入電源內部，以自己如果是電源控制部分，碰到這樣的問題該如何解決。
三相模塊的母線電壓可以達到800V，如果DCDC仍然采用傳統的兩電平拓撲，那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。而目前市場上這樣的MOS管...
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進行通訊建立連接關系時，就需要進行電平轉換。
Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
場效應晶體管（FET）是利用電場效應來控制晶體管電流的半導體器件，因此叫場效應管。它是一種用輸入電壓控制型的半導體器件。按基本結構分為結型場效應管和金屬...
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
主控板STM32F302R8+驅動板X-NUCLEO-IHM07M1+直流無刷電機WR36BL61，采用六步換相法實現電機的正反轉驅動。
Innovus教程：輸出用于LVS的Verilog網表文件 各種控制選項
有時候網表中可能會有一些空的module（在網表中體現為Module下面沒有Cell或者準確說沒有含MOS管的有效器件），而它們在版圖里面也是不存在的，...
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。
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