mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

防反接保護電路圖三種防反接保護電路解析

通常情況下直流電源輸入防反接保護是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)放反接保護。

2023-08-30 標(biāo)簽：二極管電路圖 MOSFET 2025 0

MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)柵極 2018 0

?基礎(chǔ)回顧：電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管

電阻元件的電阻值大小一般與溫度，材料，長度，還有橫截面積有關(guān)，衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數(shù)，其定義為溫度每升高1℃時電阻值發(fā)生變化的百分?jǐn)?shù)。

2023-05-05 標(biāo)簽：三極管二極管單片機 2014 0

IGBT技術(shù)：MOS管基礎(chǔ)及選型指南

寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導(dǎo)通，反接截止，對于NMOS，當(dāng)S極接正，D極接負(fù)，寄生二極管會導(dǎo)通，反之截止；對于PMOS管，當(dāng)D極接正，S極接負(fù)，...

2023-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 IGBT 2010 0

CMOS平面互補場效應(yīng)晶體管工藝流程

典型的襯底是p型硅或絕緣體上硅（SOI)，其直徑為 200mm 或300mm；在多層銅互連中，最上面兩層金屬較厚（常被用于制造電感或電容)，頂層的鋁層用...

2023-01-16 標(biāo)簽：CMOS MOS管 LDD 2009 0

DDR3相較于DDR2有哪些特點？其設(shè)計規(guī)范有哪些？

存儲器一般來說可以分為內(nèi)部存儲器(內(nèi)存)，外部存儲器(外存)，緩沖存儲器(緩存)以及閃存這幾個大類。內(nèi)存也稱為主存儲器，位于系統(tǒng)主機板上，可以同CPU直...

2023-11-04 標(biāo)簽：DDR3 存儲器 MOS管 2009 0

如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉

關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS管的G極...

2022-10-24 標(biāo)簽：三極管 MOS管寄生電感 2005 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 IGBT 2005 0

自舉電容初始化啟動和充電受限問題分析

說起自舉電路估計離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對于N溝道的MOS管，導(dǎo)通時需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...

2024-03-27 標(biāo)簽：電容器二極管 MOS管 2004 0

MOS管的死區(qū)損耗計算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET BUCK MOS管 1999 0

MOS晶體管的靜態(tài)特性(二)

短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應(yīng)。載流子的速度正比于電場，遷移率是一個常數(shù)，當(dāng)溝道電場達(dá)到某一臨界...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOS管晶體管 MOS 1996 0

怎么判斷MOS管的工作狀態(tài)

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子...

2024-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1993 0

什么是MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 1989 0

如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管來讓自身的太陽能控制器更加可靠呢？

MOS管在太陽能控制器中是非常重要的存在，它直接影響到充電控制的精度，系統(tǒng)的效率和可靠性，以及最終影響整個太陽能系統(tǒng)的性能和壽命。

2024-01-11 標(biāo)簽：控制器場效應(yīng)管 MOS管 1988 0

如何運用MOS管設(shè)計防反接電路

電子元件大都是使用直流工作，電源線反接就有可能就會燒壞，那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了，運用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...

2023-02-21 標(biāo)簽：二極管 MOS管 NMOS 1986 0

功率地、邏輯地、數(shù)字地、模擬地的區(qū)分

在實際工程應(yīng)用原理設(shè)計時，往往會分很多的地，比如輸入電源地、內(nèi)部電源地、功率地、模擬地、邏輯地、數(shù)字地、機殼地等。

2023-10-16 標(biāo)簽：三極管 MOS管數(shù)字地 1982 0

影響mos管壽命的因素

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長短對于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...

2023-12-22 標(biāo)簽：電子元件 MOS管場效應(yīng)晶體管 1978 0

三相逆變橋設(shè)計的關(guān)鍵點

三相逆變橋設(shè)計主要：柵極電阻、MOS管下拉電阻、MOS管、檢流電阻、反電動勢分壓電阻以及濾波電容；關(guān)鍵點是MOS管和檢流電阻

2023-01-16 標(biāo)簽：濾波電容 MOS管柵極電阻 1960 0

MOS晶體管的動態(tài)特性

一個MOSFET管的動態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時間。本征電容的主要來源有三個：基本的MO...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 電容 MOS管 1951 0

鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動電流 1943 0

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