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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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MOS管被擊穿的原因

MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電(ESD)的損害,這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因,并提出相應(yīng)的解決方案,以幫...

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2024-10-04 標(biāo)簽:MOS管電壓靜電擊穿 509 0

飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用

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根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示:?jiǎn)蜗嚯姸缺怼⑷嚯姸缺怼⒏邏洪_(kāi)關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元,同比分別...

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飛虹半導(dǎo)體MOS管在MPPT控制器的應(yīng)用

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對(duì)于從事MPPT控制器研發(fā)的工程師來(lái)說(shuō),在眾多場(chǎng)效應(yīng)管中選出最佳搭檔無(wú)疑是一大難題。選型不當(dāng),不僅會(huì)影響控制器效率,還可能拖累整個(gè)項(xiàng)目進(jìn)度。面對(duì)成千上萬(wàn)...

2024-09-04 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 422 0

MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)

MOS管驅(qū)動(dòng)芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器,其主要功能是通過(guò)控制MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的高效控制。

2024-08-23 標(biāo)簽:功率放大器MOS管驅(qū)動(dòng)芯片 1641 0

什么是MOS管的雪崩

MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象,主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析,包括其定義、原理、影響、預(yù)防措...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOS管晶體管雪崩 1612 0

推挽式開(kāi)關(guān)電源mos管耐壓值是多少

推挽式開(kāi)關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值,而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō),推挽式開(kāi)關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 1195 0

MOS管引腳有什么作用

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的引腳主要包...

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MOS管的引腳數(shù)量及區(qū)分方法

MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),通常具有三個(gè)引腳。

2024-08-13 標(biāo)簽:MOSFETMOS管引腳 2264 0

P溝道MOS管的工作原理和導(dǎo)通條件

P溝道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...

2024-08-13 標(biāo)簽:MOS管晶體管p溝道 4791 0

解鎖 MOS 管:溫度估算不再燒腦

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溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損...

2024-08-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS管損耗 2284 0

lGBT與mos管主要區(qū)別在哪

LGBT(Light Emitting Bipolar Transistor)是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長(zhǎng)壽...

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開(kāi)關(guān)管是mos管還是IGBT管

開(kāi)關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開(kāi)關(guān)管是一種電子器件,用于控制電流的開(kāi)關(guān)。在電子電路中,開(kāi)關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開(kāi)關(guān)管的基本概念 1.1 定義...

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MOS管的損耗與哪些因素

MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。

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占空比對(duì)電源效率的影響

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占空比(Duty Ratio或Duty Cycle)是指在一個(gè)脈沖循環(huán)內(nèi),通電時(shí)間(或有效時(shí)間)相對(duì)于總時(shí)間所占的比例。在電子學(xué)和通信領(lǐng)域,占空比是一個(gè)...

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開(kāi)關(guān)電源MOS管的主要損耗

開(kāi)關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

2024-08-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管損耗 1519 0

MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型

MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型是電子工程設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)闡述MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型過(guò)程,包括需考慮的關(guān)鍵...

2024-08-06 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)芯片額定電流 2232 0

分立器件在智能美妝化妝鏡上的應(yīng)用

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愛(ài)美之心,人皆有之。隨著智能時(shí)代來(lái)臨,帶點(diǎn)AI的智能化妝鏡更有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。近日,在某國(guó)外網(wǎng)站上,賣火了的產(chǎn)品,它集補(bǔ)光、高清顯示和AI功能于一身,美妝神...

2024-08-05 標(biāo)簽:MOS管分立器件合科泰 312 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

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2024-08-02 標(biāo)簽:集成電路MOS管NMOS 1180 0

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