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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電,應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電(ESD)的損害,這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因,并提出相應(yīng)的解決方案,以幫...
MOS管的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其高輸入電阻和小的柵-源極間電容。這種結(jié)構(gòu)使得MOS管極易受到外部電磁場(chǎng)或靜電的影響,從而帶電。在靜電較強(qiáng)的環(huán)境下,電荷難以泄放...
飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用
根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示:?jiǎn)蜗嚯姸缺怼⑷嚯姸缺怼⒏邏洪_(kāi)關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元,同比分別...
2024-09-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)MOS管智能電表 538 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在MPPT控制器的應(yīng)用
對(duì)于從事MPPT控制器研發(fā)的工程師來(lái)說(shuō),在眾多場(chǎng)效應(yīng)管中選出最佳搭檔無(wú)疑是一大難題。選型不當(dāng),不僅會(huì)影響控制器效率,還可能拖累整個(gè)項(xiàng)目進(jìn)度。面對(duì)成千上萬(wàn)...
2024-09-04 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 422 0
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器,其主要功能是通過(guò)控制MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的高效控制。
2024-08-23 標(biāo)簽:功率放大器MOS管驅(qū)動(dòng)芯片 1641 0
MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象,主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析,包括其定義、原理、影響、預(yù)防措...
推挽式開(kāi)關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值,而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō),推挽式開(kāi)關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...
2024-08-15 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 1195 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的引腳主要包...
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),通常具有三個(gè)引腳。
P溝道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損...
LGBT(Light Emitting Bipolar Transistor)是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長(zhǎng)壽...
開(kāi)關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開(kāi)關(guān)管是一種電子器件,用于控制電流的開(kāi)關(guān)。在電子電路中,開(kāi)關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開(kāi)關(guān)管的基本概念 1.1 定義...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS管電子器件開(kāi)關(guān)管 3480 0
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
占空比(Duty Ratio或Duty Cycle)是指在一個(gè)脈沖循環(huán)內(nèi),通電時(shí)間(或有效時(shí)間)相對(duì)于總時(shí)間所占的比例。在電子學(xué)和通信領(lǐng)域,占空比是一個(gè)...
開(kāi)關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管損耗 1519 0
MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型是電子工程設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)闡述MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型過(guò)程,包括需考慮的關(guān)鍵...
2024-08-06 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)芯片額定電流 2232 0
愛(ài)美之心,人皆有之。隨著智能時(shí)代來(lái)臨,帶點(diǎn)AI的智能化妝鏡更有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。近日,在某國(guó)外網(wǎng)站上,賣火了的產(chǎn)品,它集補(bǔ)光、高清顯示和AI功能于一身,美妝神...
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