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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場(chǎng),遷移率是一個(gè)常數(shù),當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來(lái)源有三個(gè):基本的MO...
mos管,即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-02-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1128 0
內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)的充電器芯片SF1538DP
手機(jī)充電器芯片扮演著重要的角色,且越來(lái)越智能。一顆品質(zhì)上佳的充電器芯片,可以延長(zhǎng)電池壽命,保護(hù)被充電系統(tǒng)不受損害。
2023-02-12 標(biāo)簽:MOS管充電器芯片開(kāi)關(guān)電源芯片 628 0
mos場(chǎng)效應(yīng)管焊接方法_場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名含義
mos管焊接的方法步驟如下: 1、焊接前,認(rèn)清mos場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)引腳,電烙鐵的外表要可靠的接地。 2、先用烙鐵固定G.S極,然后從...
2023-02-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9792 0
n溝道場(chǎng)效應(yīng)管和p溝道場(chǎng)效應(yīng)管能互換嗎
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過(guò)加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷(電子),此時(shí)為N型(N溝道)參雜,在N型...
什么是功率開(kāi)關(guān)管 開(kāi)關(guān)管的工作原理
根據(jù)MOS管,三極管的性質(zhì)可知,通過(guò)對(duì)它們工作電壓的改變可以使它們分別用來(lái)放大信號(hào),用來(lái)做開(kāi)關(guān),而MOS管,三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類型管子,...
2023-02-10 標(biāo)簽:三極管MOS管功率開(kāi)關(guān)管 8041 0
逆變器,別稱為變流器、反流器,是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管...
2023-02-10 標(biāo)簽:變壓器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2726 0
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好,到底是哪里出了問(wèn)題?本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng) 4740 0
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
在MOS管的等效電路中柵-漏電容Cgd等效到輸入回路中的容值是多少?
接著,我們畫出其交流通路。注意,這里我們使用的不是MOS管的低頻小信號(hào)模型,而是高頻小信號(hào)模型。
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng)),就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗,表現(xiàn)出來(lái)就是手機(jī)常見(jiàn)的發(fā)熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。
2023-02-07 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路放大電路 3740 0
很多人不清楚,不少CBB電容之所以容易損壞,很大概率是溫度過(guò)高導(dǎo)致的,雖然CBB薄膜電容穩(wěn)定性遠(yuǎn)好于電解電容,但它也照樣害怕高溫,CBB薄膜電容耐高溫嗎?
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
上電時(shí)給MOS管的G極一個(gè)確定的電平,防止上電時(shí)GPIO為高阻時(shí),MOS的G極電平不確定受到干擾。
2023-02-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管 1.3萬(wàn) 1
和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì),在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高...
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