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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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哪一款MOS管可以替代IPP030N10N3G應用于MPPT控制器中
研發工程師在研發電路時,我們都清楚MPPT控制器作為光伏系統的大腦,其每一個電子元器件的使用都是非常關鍵的。
MOS管因為其導通內阻低,開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管,其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。
實孔霧化片本身是一個陶瓷片,表面采用玻璃釉面精制成,利用高頻振動超聲原理把水瞬間分解成細小的水珠狀,再由本身霧化器產品噴出來。一般用于功率較大產品,例如...
首先,沉積四乙基原硅酸鹽氧化物(即使用正硅酸乙酯TEOS前驅的CVD氧化物,簡稱TEOS-ox)和氮化硅的復合層,并對TEOS-ox和氮化硅進行等離子體...
搭建H橋驅動電路一般都包括兩個部分:半橋/全橋驅動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅動所能通過的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。
友恩充電器芯片U6101選型參考5V-12A~1A、12V-5A~1A,外推MOS,可兼容多種啟動供電模式。
在高壓下,PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極,并且導線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導線,柵極電壓過高擊穿MOS管。
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關系?,這個屬于比較細節的問題,在面試中基本不會遇到,但是今天討論的這個問題還是很有可能碰到的。
“電路防反接,你真的會用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過電子產品設計的工程師,都會在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
VDS(Drain-source voltage):漏源電壓標稱值,反應的是漏源極能承受的最大的電壓值;
因為NPN型的三極管在共發射極電路中使用時,其C極要求接的是電源的正端,E極要求接的是電源的負端,B極要求在正向偏壓時管子才工作,所以在PC電源中,開關...
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對應MOS管的哪個工作區?”這個問題,并得出Rdson對應的是可變電阻區的結論。在討論的過程中,提到了Vgs對MOS管...
在設計mos管開關電路時,就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細地講解mos管的工作原理。
按下K,電源通過4007為整個系統供電,AVR開始工作。此時PB1為高電平。注意,電源來源是連接器旁邊的+5V。
MOS管因為其導通內阻低,開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管,其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。
為了保護電路板上的其他組件,在將mos管連接到電路之前對其測試至關重要。mos管主要有三個引腳:漏極、源極和柵極。
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