mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與MOS管驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)

如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)...

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動(dòng)電路 7687 1

如何區(qū)分MOS管，“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹

讓我們來(lái)看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別，怎么用吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看。

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 1879 0

串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端還是靠近MOS端？

在這之前，為了讓所有兄弟都能跟上節(jié)奏，那必須先得搞清楚這個(gè)串聯(lián)的電阻是干什么用的。

2022-12-30 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 pcb MOS管 2564 0

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標(biāo)簽：二極管 MOS管功率器件 7030 0

Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？

關(guān)于MOS管的文章，例如MOS管的參數(shù)解析等，網(wǎng)上很多，這里就不寫(xiě)了，我們還是針對(duì)具體問(wèn)題具體分析。在問(wèn)題求證過(guò)程中，查漏補(bǔ)缺。

2022-12-29 標(biāo)簽：三極管電阻 MOS管 3602 0

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路解析

之前介紹過(guò)H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的基本原理，但是以集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為示例。這些集成的芯片使用起來(lái)比較簡(jiǎn)單，但是只能適用于一些小電流電機(jī)，對(duì)于大電流的電機(jī)(比...

2022-12-29 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.2萬(wàn) 0

所以需要選擇一款DC-DC(直流到直流)的電源拓?fù)渥鰹榉桨钢饕较颉?/p>

2022-12-28 標(biāo)簽：BUCK MOS管 DC-DC 4009 0

無(wú)刷電機(jī)控制基礎(chǔ)（1）——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路

無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。

2022-12-27 標(biāo)簽：線圈 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1618 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.5萬(wàn) 0

這個(gè)Rdson電阻是對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)呢？

在這個(gè)過(guò)程中，Vgs加大，導(dǎo)電溝道寬度增加；Vgs減小，溝道寬度就減小。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 RDSON控制器 1552 0

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 6651 0

MOS管的基本知識(shí)：構(gòu)造、原理、電路設(shè)計(jì)

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管晶體三極管開(kāi)關(guān)管 3152 0

一文解析功率MOS管的五種損壞模式

在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 1124 0

三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí)如何選擇？

三極管和MOS管都是很常用的電子元器件，兩者都可以作為電子開(kāi)關(guān)管使用，而且很多場(chǎng)合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí)，有很多相似之處，...

2022-12-22 標(biāo)簽：三極管 MOS管開(kāi)關(guān)管 2135 0

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顧名思義，是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 9320 0

MOS管被擊穿的原因及解決方案?

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。

2022-12-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1.1萬(wàn) 0

電路分析：mos管開(kāi)關(guān)電路

mos管的工作區(qū)域從之前的文章中可以知道，mos管有三個(gè)工作區(qū)域：截止區(qū)域線性（歐姆）區(qū)域飽和區(qū)域當(dāng) VGS VTH時(shí)，mos管工作在截止區(qū)域...

2022-12-19 標(biāo)簽：CMOS 開(kāi)關(guān)電路 MOS管 3.6萬(wàn) 0

為什么大家都用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載

上一篇推文中我們已經(jīng)說(shuō)了，驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候，通常我們會(huì)采用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)，非得加個(gè)三極管，在上一篇推文中我...

2022-12-19 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 3501 0

MOS管加三個(gè)元件就組成BUCK電路，為何說(shuō)難點(diǎn)在于電感？你怎么看

BUCK電路中最重要的器件是電容，二極管還是電感。

2022-12-19 標(biāo)簽：MOS管電感 DC-DC 1307 0

元器件深入開(kāi)發(fā)指南 | 阻容、電感、二極管與MOS管（文末領(lǐng)資料）

成長(zhǎng)計(jì)劃元器件深入開(kāi)發(fā)指南工程師成長(zhǎng)計(jì)劃第十八期，硬聲UP主：硬件工程師煉成之路，從工程師實(shí)戰(zhàn)的角度，深入電阻、電容、電感、二極管與MOS管的特...

2022-12-14 標(biāo)簽：二極管 MOS管電感 2169 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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