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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章：2003個(gè) 瀏覽：67236次 帖子：1216個(gè)
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;
關(guān)注新能源車的朋友應(yīng)該都知“IGBT”這個(gè)詞，如果你去4S店買新能源車在談到提車時(shí)間時(shí)，銷售可能都會(huì)說由于芯片產(chǎn)能的不足，缺“芯片”導(dǎo)致整車的交付時(shí)間加...
MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析
那這兩張圖是完全等價(jià)的，我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口，也就是有三個(gè)引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他...
BUCK電路，又稱為降壓電路，是一種常見的直流至直流（DC-DC）電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點(diǎn)是輸入電壓高于輸出電壓，且輸出電流為連續(xù)的，而輸入電流則為脈...
在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅(qū)動(dòng)IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統(tǒng)的變頻器為例，因輔助電源...
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個(gè)因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
充電樁電氣防火限流式保護(hù)器及其過電流故障檢測(cè)方法
本文介紹一種電氣防火限流式保護(hù)器及其安全啟動(dòng)方法，以實(shí)現(xiàn)一種開機(jī)流程安全啟動(dòng)的電氣防火限流式保護(hù)器，保證電氣防火限流式保護(hù)器在負(fù)載短路的狀態(tài)下安全的啟動(dòng)。
編碼是各種集合的元素映射到字符串的過程 。數(shù)字電路中的數(shù)字表示就是一串用已約定好的表示的 0 和 1 的組合。
上下管沒有開始時(shí)間，都是毛刺，而且毛刺重合，這就會(huì)導(dǎo)致上下管同時(shí)導(dǎo)通，即使沒有負(fù)載，12V電流也有350mA以上。波形如下，抓的都是上下管的開關(guān)信號(hào)，而...
PoE電源模塊不輸出？可能是MOS管故障，解決方法請(qǐng)拿走~
工程師在使用TT9930樣機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)，樣機(jī)正常老化時(shí)，突然沒有輸出。經(jīng)過排查后，懷疑MOS故障，本文將分享解決思路和要點(diǎn)。
100W電源以上的半橋式電路使用什么MOS管型才能適配電路呢
其實(shí)對(duì)于100W以上舞臺(tái)燈光電源的半橋式電路，我們推薦使用2個(gè)FHP13N50W。畢竟FHP13N50W是可以替代13N50等MOS管的產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)。
什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽：電源MOSFET開關(guān)電源 1685 0
單片機(jī)的電源是5V，相應(yīng)地，它的IO引腳輸入輸出電壓也是5V。但若空氣凈化器用到的PM2.5傳感器，它的工作電源是3.3V，傳感器輸出的IIC信號(hào)同樣也...
電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器，其主要功能是通過控制MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的高效控制。
2024-08-23 標(biāo)簽：功率放大器MOS管驅(qū)動(dòng)芯片 1683 0
500V平面MOS在高速電吹風(fēng)筒上有何應(yīng)用？
高速電吹風(fēng)筒是指使用了BLDC電機(jī)，轉(zhuǎn)速在10萬轉(zhuǎn)/分鐘以上的吹風(fēng)機(jī)，此類吹風(fēng)機(jī)采用的直流無刷電機(jī)馬達(dá)，具有轉(zhuǎn)速高、體積小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在外觀方面高速...
2023-08-15 標(biāo)簽：MOS管BLDC電機(jī)體二極管 1681 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管漏極 1680 0
氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開關(guān)速度...
為什么在MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞？如何解決？
MOS管作為一種常用的開關(guān)元件，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，因此在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。
2024-02-21 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路濾波電容 1662 0
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