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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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N/P結構的MOS管選型有何不同?——從開關性能、封裝形式兩方面考慮
選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結構形式,即N溝道型和P溝道型,結構不一樣,使用的電壓極性也會不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需...
01引言自2020年,國家將充電樁納入新基建并大力發(fā)展,各類企業(yè)積極入局,現(xiàn)已進入行業(yè)發(fā)展關鍵期,將迎來爆發(fā)增長。預計到2030年,中國新能源汽車累計銷...
很多人不清楚,不少CBB電容之所以容易損壞,很大概率是溫度過高導致的,雖然CBB薄膜電容穩(wěn)定性遠好于電解電容,但它也照樣害怕高溫,CBB薄膜電容耐高溫嗎?
示波器,作為電子工程師和科學家的基本工具之一,廣泛應用于電子信號的測量和分析中。在涉及多個通道波形時間相關參數(shù)的測量中,如功率MOS管的雙脈沖測試,相位...
無線芯片:NRF24L01 電機驅動MOS管:AO3400 升壓方案:BL8530 3.3V穩(wěn)壓方案:ME6219C-33-M5G 下載口保護:1K電阻...
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛使用的半導體器件,它在電子電路中扮演著開關和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成:源極(S...
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛使用的半導體器件,它利用電場來控制電流的流動。在MOSFET中,漏極電壓(Vd)是指漏極和源極之間...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)在電子設備中...
半導體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響
當n型半導體與p型半導體接觸時,電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散,稱為擴散運動。當電子進入p型區(qū)域,空穴進入n型區(qū)域后,即與對方多子復合,留下了固定...
MOS管驅動電阻的測試方法主要涉及到對驅動電路中電阻值的測量,以確保其符合設計要求,從而保障MOS管的正常工作。簡單介紹幾種常見的測試方法,并給出相應的...
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