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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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究竟對于電動升降桌中的步進電機驅動器電路中的H橋拓撲結構如何選擇適合的MOS管來應用,是決定步進電機廠家能否獲得穩定訂單的核心。
MOS(金屬-氧化物-半導體)管的寄生參數是指在集成電路設計中,除MOS管基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、封裝方式以及...
先說一說這個電路的用途:當兩個MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V;MCU2工作電壓3.3V),那么MCU1與MCU2之間怎樣進行串口通...
MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導體材料由于高溫而分解)。
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