mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

關(guān)于MOS管電路工作原理的講解

MOS管的話題雖說是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過，這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識(shí)別，到極性的分辨，再到...

2024-04-22 標(biāo)簽：MOS管 MOS 寄生二極管 542 0

MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么

功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引...

2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻 MOSFET 538 0

飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用

根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示：單相電度表、三相電度表、高壓開關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元，同比分別...

2024-09-04 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)MOS管智能電表 538 0

探索天氣影響下的三極管異?，F(xiàn)象

當(dāng)單板啟動(dòng)時(shí)，SLP_S3會(huì)輸出3V3電平，此時(shí)Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時(shí)hFE=100計(jì)算，ic=100...

2024-03-27 標(biāo)簽：三極管上拉電阻 MOS管 538 0

FHL385N1F1A MOS管的具體產(chǎn)品參數(shù)

在充電市場中，PD電源以其產(chǎn)品的特點(diǎn)優(yōu)勢正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營銷份額，尤其是在手機(jī)端跟電腦端更為明顯。對(duì)于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體場效應(yīng)管 535 0

FHL385N1F1A場效應(yīng)管在電池管理系統(tǒng)的應(yīng)用

電池管理系統(tǒng)（BMS）作為儲(chǔ)能行業(yè)的中樞產(chǎn)品之一，電子工程師一定要關(guān)注385A、100V參數(shù)的mos管。畢竟該參數(shù)的MOS管是經(jīng)常有使用在電池管理系統(tǒng)中...

2023-10-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管電池管理系統(tǒng) 533 0

超結(jié)MOS在舞臺(tái)燈電源上的應(yīng)用

舞臺(tái)燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率

2024-01-17 標(biāo)簽：電源 MOS管超結(jié)器件 531 0

超結(jié)MOSFET的開關(guān)特性

寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管電源電壓 VDS 522 0

上下拉電阻的使用方法

上拉電阻是把一個(gè)信號(hào)通過一個(gè)電阻接到電源(Vcc)，下拉電阻是一個(gè)信號(hào)通過一個(gè)電阻接到地(GND)。

2024-11-07 標(biāo)簽：三極管上拉電阻下拉電阻 521 0

淺談MOS管損壞之謎

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2023-06-05 標(biāo)簽：開關(guān)二極管 MOSFET 519 0

電源關(guān)斷模塊中的retention register低功耗設(shè)計(jì)

在電源關(guān)斷模塊有可能要求register對(duì)關(guān)斷前的數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存或者在電源打開后要求對(duì)鎖存的數(shù)據(jù)進(jìn)行恢復(fù)，這就需要特殊的單元Retention Register。

2023-06-29 標(biāo)簽：寄存器 MOS管低功耗設(shè)計(jì) 514 0

晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用

靜電放電，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的...

2024-09-10 標(biāo)簽：靜電 MOS管晶體管 514 0

場效應(yīng)管在車載逆變器的應(yīng)用

依據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，美國戶外休閑產(chǎn)業(yè)總規(guī)模已達(dá)8620億美元。從數(shù)據(jù)顯示美國等北美國家依然是戶外裝備的核心群體，而國內(nèi)依靠車載逆變器出海的企業(yè)也都關(guān)注以上需求...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 513 0

震驚！電源開不了機(jī)，原來是這個(gè)原因……

我本次調(diào)試使用的是來自成都啟臣微與深圳思睿達(dá)的副邊芯片CR5268TN，此IC是核封了一顆650V的MOS管，無需外置MOS，所以畫板會(huì)更為方便，工作頻...

2024-10-13 標(biāo)簽：電源芯片 MOS管 513 0

LED照明驅(qū)動(dòng)ic U6203D的關(guān)鍵有哪些

伴隨著LED照明市場的發(fā)展和持續(xù)轉(zhuǎn)變，很多新的LED照明燈具破舊立新的出現(xiàn)，對(duì)LED照明產(chǎn)品的品質(zhì)規(guī)定慢慢提升，LED照明產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)逐步嚴(yán)苛。

2023-08-10 標(biāo)簽：led照明 MOS管驅(qū)動(dòng)IC 510 0

MOS管靜電擊穿的類型

MOS管的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其高輸入電阻和小的柵-源極間電容。這種結(jié)構(gòu)使得MOS管極易受到外部電磁場或靜電的影響，從而帶電。在靜電較強(qiáng)的環(huán)境下，電荷難以泄放...

2024-10-04 標(biāo)簽：MOS管電壓靜電擊穿 509 0

場效應(yīng)管在園林類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用

電機(jī)是在電動(dòng)割草機(jī)、電動(dòng)鏈鋸、電動(dòng)碎枝機(jī)、電動(dòng)吹風(fēng)機(jī)等園林工具的核心部件。對(duì)于在研發(fā)此類適用園林工具電機(jī)的電機(jī)廠家而言，如何選對(duì)MOS管廠家來供應(yīng)場效應(yīng)...

2024-01-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管電機(jī) 505 0

合科泰PMOS管AO4435的特性和應(yīng)用

MOS管是非常常用的分立器件產(chǎn)品，通常它有三個(gè)腳，為G、D、S，通過G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 PMOS管 502 0

MOS管的電路知識(shí)

理論上反激電源比正激電源更使用于多路輸出，但實(shí)際上反擊電源的多路輸出交叉調(diào)整率比正激電源更難做，這主要是正激后面加了個(gè)偶合電感，而反激的漏感不是零。

2023-11-13 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源 MOS管 497 0

MOS管什么情況下會(huì)遭受靜電破壞？

MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，...

2023-06-16 標(biāo)簽：二極管 MOS管電磁場 495 0

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