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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章:2010個 瀏覽:67416次 帖子:1216個
MOS管的工作原理,不做到這五點(diǎn)就不能叫MOS管?
在轉(zhuǎn)移特性曲線上,gm 是曲線在某點(diǎn)上的斜率,也可由iD的表達(dá)式求導(dǎo)得出,單位為 S 或 mS。(6) 最大漏極電流 IDM(7) 最大漏極耗散功率 P...
自動關(guān)機(jī)電路,自動關(guān)機(jī)原理分析
今天用萬用表的時(shí)候,突然很奇怪,為什么過了一段時(shí)間不使用后它就“自我了結(jié)”了呢?怎么實(shí)現(xiàn)的呢?實(shí)驗(yàn)室的福祿克表,蠻貴,不敢擅自拆開,所以就網(wǎng)上查詢資料,...
2017-04-26 標(biāo)簽:萬用表mos管自動關(guān)機(jī) 1.8萬 2
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容...
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高...
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管...
近年來各種電子產(chǎn)品向小型化和微型化發(fā)展,并以大爆炸的形式進(jìn)入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個產(chǎn)品的一大部分,電源變壓器、電源控制IC、MOS...
2015-10-07 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)MOS管DC-AC 3872 0
當(dāng)前固體微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件為主,隨著CMOS 工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展, 微光CMOS 圖像傳感器的性能在不斷提高,通過采用專項(xiàng)技...
經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀(199)
本文著重介紹了電源中保護(hù)電路設(shè)計(jì)過程,利用場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻作為檢測電阻,監(jiān)視它的電壓降,當(dāng)電壓降超過設(shè)定值時(shí)就停止放電。在一般的情況下,電路中一般還加...
電流檢測電路設(shè)計(jì)圖詳解 —電路圖天天讀(150)
通常所說的電流檢測是用來檢測某部件、或者導(dǎo)線通過的電流,一般用互感器、分流器等將電流信號轉(zhuǎn)化成電壓信號,然后再對其進(jìn)行處理放大,作為后面電路保護(hù)、檢測使用。
LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管五大技術(shù)點(diǎn)分析
本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。
本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術(shù)和運(yùn)用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的方法,并且運(yùn)用這種技術(shù)設(shè)計(jì)低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導(dǎo)運(yùn)算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。
2014-04-30 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器MOS管差分放大器 4892 1
我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
2011-11-19 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)mos管 3764 5
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