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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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那這兩張圖是完全等價的，我們可以看到MOS管是有三個端口，也就是有三個引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他...
使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向導通時，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過電流時幾乎不產生壓降。
電機，按照電流的屬性，可分為交流電機與直流電機兩大類。以直流電機為例，闡述說明如何在電路方案中控制電機。
如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。
推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...
DCPWMB輸入高電平，推挽輸出DCDRVB高電平驅動Q121導通，DCPWMA為低電平，推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
完整的電化學儲能系統主要由電池組、電池管理系統（BMS）、能量管理系統（EMS）、儲能變流器（PCS）以及其他電氣設備構成。BMS（Battery Ma...
當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區時hFE=100計算，ic=100...
穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生DIBL效應，使源襯底結正偏出...
說起自舉電路估計離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對于N溝道的MOS管，導通時需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...
電壓/電流轉換即V/I轉換，是將輸入的電壓信號轉換成滿足一定關系的電流信號，轉換后的電流相當一個輸出可調的恒流源，其輸出電流應能夠保持穩定而不會隨負載的...
騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導致CE測試失效。
MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。
那么結溫和熱阻有什么用呢？--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當芯片溫度升高，超過結溫后會導致元件損壞。
MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。
單片機的電源是5V，相應地，它的IO引腳輸入輸出電壓也是5V。但若空氣凈化器用到的PM2.5傳感器，它的工作電源是3.3V，傳感器輸出的IIC信號同樣也...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...
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