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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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mos管開關(guān)電路圖大全（八款mos管開關(guān)電路設(shè)計(jì)原理圖詳解）
本文主要介紹了mos管開關(guān)電路圖大全（八款mos管開關(guān)電路設(shè)計(jì)原理圖詳解）。功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閥值電...
2018-03-06 標(biāo)簽：開關(guān)電路mos管 36.8萬 3
什么是MOS管?MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解(應(yīng)用_優(yōu)勢_三個極代表)
本文首先介紹了mos管的概念與mos管優(yōu)勢，其次介紹了MOS管結(jié)構(gòu)原理圖及mos管的三個極判定方法，最后介紹了MOS管（場效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域及它的降壓電路。
2018-05-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管 19.7萬 1
mos管工作原理：它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工...
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要。可以在MOS管關(guān)斷時為感性負(fù)載的...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 15.0萬 2
H橋是一個典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡略示...
本文介紹了萬用表如何判斷mos管好壞，mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...
2018-01-12 標(biāo)簽：萬用表mos管場效應(yīng)晶體管 13.2萬 0
詳細(xì)講解一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)
在IC內(nèi)部，如何來設(shè)置每一個晶體管的工作狀態(tài)，就是通過偏置電流，恒流源電路可以說是所有電路的基石，帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的，然后通過電流鏡來為每一個功能模...
G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
學(xué)習(xí)并理解LLC：LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的？
與電阻不同，電感和電容都不是純阻性線性器件，電感的感抗XL和電容的容抗Xc都與頻率有關(guān)，當(dāng)加在電感和電容上的頻率發(fā)生變化時，它們的感抗XL和容抗Xc會發(fā)生變化。
本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性...
2018-04-03 標(biāo)簽：mos管 10.8萬 0
關(guān)于MOS管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)
在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作...
導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有
以上MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號切換（高低電平切換）。再來看個MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧，MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子：由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路
本文開始介紹了mos管的定義與mos管主要參數(shù)，其次對ir2110驅(qū)動mos管進(jìn)行了介紹，其中包括H橋工作原理及驅(qū)動分析、前級PWM信號和方向控制信號邏...
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
MOS管不只能夠做開關(guān)電路，也能夠做仿照拓寬，因?yàn)闁艠O電壓在必定方案內(nèi)的改動會致使源漏間導(dǎo)通電阻的改動。二者的首要差異便是：雙極型管是電流操控器材（經(jīng)過...
本文主要介紹了場效應(yīng)管開關(guān)電路原理，另外還介紹了相關(guān)場效應(yīng)管開關(guān)電路圖及其應(yīng)用。
2018-08-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路場效應(yīng)管MOS管 6.6萬 0
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），計(jì)算RDS（ON）看似是一個很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫T...
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...
項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分
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