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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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G極比較好認,D極,不論是p溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊;S極,不論是p溝道還是N溝道,兩根線相交的就是。
IGBT作為新型電子半導體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。
如圖C1、C2的值,這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通...
場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電,又稱單極型晶體管。
不懂硬件的人,會覺得硬件高深莫測,“為什么他改幾個電阻、電容就調出來,我弄個半天沒搞定?”,“噢,靠的是經驗”,但是經驗又是什么呢?不能形容,反正就是不明覺厲。
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