MOS管電路工作原理詳解 MOS管應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)

2018-09-12 標(biāo)簽：MOS管 16.6萬(wàn) 3

mos管導(dǎo)通壓降多大？

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體...

2017-11-26 標(biāo)簽：mos管mos 14.5萬(wàn) 3

mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析

轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...

2020-04-04 標(biāo)簽：電流MOS管晶體管 11.2萬(wàn) 0

MOS管導(dǎo)通的條件有哪些？

MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。

2021-06-15 標(biāo)簽：MOS管 8.5萬(wàn) 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路_單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管相比三極管來(lái)講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件...

2020-06-26 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 7.9萬(wàn) 0

如何判斷顯卡電子元件的好壞

顯卡上的電子元件就像汽車(chē)中的各種零件一樣，其好壞對(duì)整體的穩(wěn)定和壽命有直接影響。比較顯眼的部件有電容、電感、MOS和供電芯片，這些容易看懂，好理解。

2012-09-10 標(biāo)簽：電容mos管電感 7.4萬(wàn) 1

mos管開(kāi)關(guān)電路_pwm驅(qū)動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路圖分享

MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路...

2018-01-04 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路mos管 6.0萬(wàn) 0

一文詳解MOS管（構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路）

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)

2018-05-28 標(biāo)簽：mos管晶體三極管 5.7萬(wàn) 0

三極管和MOS管控制區(qū)別

而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅(qū)動(dòng)，其驅(qū)動(dòng)電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通，不同型號(hào)的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的，一般為3...

2020-04-04 標(biāo)簽：三極管MOS管 5.4萬(wàn) 2

單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路圖及原理

如果驅(qū)動(dòng)的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場(chǎng)合），最好要做電氣隔離、過(guò)流超壓保護(hù)、溫度保護(hù)等……此時(shí)既要隔離傳送控制信號(hào)（例如PWM信號(hào)），也要給驅(qū)...

2021-01-20 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 3.9萬(wàn) 0

如何估算MOS管的驅(qū)動(dòng)電流？

第一種: 可以使用如下公式估算： Ig=Qg/Ton 其中： Ton=t3-t0td(on)+tr td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有駛?cè)腚妷荷仙?..

2012-10-26 標(biāo)簽：MOS管光耦高速光耦 3.9萬(wàn) 0

4個(gè)NMOS組成的全橋驅(qū)動(dòng)電路

2019-08-26 標(biāo)簽：MOS管NMOS驅(qū)動(dòng)電路 3.8萬(wàn) 0

MOS管功率放大器電路圖

MOS 管功放具有激勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入，達(dá)到抑制...

2011-09-19 標(biāo)簽：功率放大器MOS管 3.8萬(wàn) 5

MOS管和IGBT區(qū)別，一看就懂

MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，是場(chǎng)效應(yīng)管的一種類(lèi)型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

2022-10-21 標(biāo)簽：MOSFETMOS管IGBT 2.9萬(wàn) 0

MOS管的發(fā)熱如何解決

功率MOS管在過(guò)較大的電流時(shí)會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，電子元器件對(duì)溫度比較敏感，長(zhǎng)期工作在高溫狀態(tài)下，會(huì)縮短使用壽命，所以要加快熱量的散發(fā)。

2020-02-12 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 2.7萬(wàn) 0

mos管的基礎(chǔ)知識(shí)匯總

G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是...

2020-09-16 標(biāo)簽：MOS管MOS 2.7萬(wàn) 0