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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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峰岹FU6812S+FD2606S+N MOSFET 油煙機方案
FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動器, 能夠驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內(nèi)置VCC和VB欠壓(UVLO)保護功能,防止功率管...
國產(chǎn)車規(guī)級智能隔離柵極驅(qū)動器概述
電機控制器是新能源汽車中的重要組成部分,負責(zé)控制電機的運轉(zhuǎn),而柵極驅(qū)動器則是電機控制器中的關(guān)鍵元件之一。今天就給大家推薦一款國產(chǎn)車規(guī)級智能隔離柵極驅(qū)動器...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場...
在電子電路設(shè)計中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動功耗等優(yōu)點。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1008 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓,也稱為閾值電壓(Vth),是MOSFET...
通過三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率(仿真)
繼上一篇中通過雙脈沖測試進行損耗比較的內(nèi)容之后,本文中我們將對本系列文章的評估對象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進行比較。MOSFET與雙脈沖測試中使用的...
瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查,超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%,覆蓋了電動車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心軟開關(guān) 421 0
開關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分,其輸出電壓的穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)性直接關(guān)系到整個設(shè)備的運行效率和安全性。在實際應(yīng)用中,有時需要降低開關(guān)電源的輸出電壓以滿足...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電子設(shè)備 1449 0
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中,作為電子開關(guān)或放大器使用。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類型。以下主要介紹雙極型晶體管(B...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過程的分析對于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場效...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對IGBT開關(guān)過...
安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述
Nexperia(安世半導(dǎo)體)將向您展示H橋直流電機控制電路參考設(shè)計。 H橋電路是一個全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持有刷直流電動機(最大電壓48 V、最小電...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體 711 0
#參考設(shè)計#低側(cè) MOSFET 控制功能的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)電池包監(jiān)測器
一款具有高電芯電壓精度的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包設(shè)計。該設(shè)計能夠非常精確地監(jiān)測各個電芯的電壓和...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET電池包監(jiān)測器 7168 0
PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...
驅(qū)動電流對MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件,其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動電流大小并不是一個固定的值,它受到多種因素的影響,包括MOSFET的具體型號、工作條件(如開關(guān)頻率、柵...
MOSFET驅(qū)動器是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用...
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