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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 4378 0
LT8652S雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器電路描述及功能
LT8652S是一款雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至18 V的輸入范圍。兩個(gè)通道可同時(shí)提供高達(dá)8.5 A的連續(xù)電流且每個(gè)通道支持高達(dá)12 A的...
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1875 0
是時(shí)候深吸一口氣了,我們即將深入電力電子的深處。我一開始就要說,這是一個(gè)非常有益的領(lǐng)域。
2022-08-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 361 0
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3305 0
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
隨著電池和超級電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢。今天為大家介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器,其雙向性允許電流發(fā)生器同時(shí)具備充電和放...
2022-08-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2123 0
回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級下工作,看過 CPU SMPS...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 3512 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通電流。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個(gè)參數(shù)的呢?
柵極驅(qū)動(dòng)器和功率 MOSFET 的放置對于前置驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,例如 DRV...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)布線 4616 0
BLDC電機(jī)換向的原理 三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析
ADA4571 使用各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù)。一種典型的實(shí)施方式是在 BLDC 電機(jī)軸的末端安裝一個(gè)徑向磁化圓盤。圓盤的磁場穿過傳感器的平面,并且...
Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。
2022-08-24 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET開關(guān)機(jī)電路 2040 0
啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和關(guān)斷期間的負(fù)載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大,可能會對并非專用于極端條...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)應(yīng)用中的作用
為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時(shí)間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會產(chǎn)生每厘米...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 1980 0
自保護(hù)MOSFET提高了汽車電子設(shè)備的可靠性
汽車行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對控制現(xiàn)代車輛中常見的無數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。
有源橋優(yōu)化以太網(wǎng)供電設(shè)計(jì)
設(shè)備電源輸入端使用的橋式整流器電路使其不受設(shè)備電源極性的影響。設(shè)備本身可能對電源的極性敏感,但橋式整流器可以配置為在電源極性反轉(zhuǎn)時(shí)為設(shè)備提供正確的極性。...
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