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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

場效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路

前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場效應(yīng)管-MOSFET。

2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 4378 0

LT8652S雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器電路描述及功能

LT8652S是一款雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至18 V的輸入范圍。兩個(gè)通道可同時(shí)提供高達(dá)8.5 A的連續(xù)電流且每個(gè)通道支持高達(dá)12 A的...

2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器emi 707 0

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 IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...

2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1875 0

升壓轉(zhuǎn)換器如何工作

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是時(shí)候深吸一口氣了,我們即將深入電力電子的深處。我一開始就要說,這是一個(gè)非常有益的領(lǐng)域。

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VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力

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因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...

2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3305 0

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效

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隨著電池和超級電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢。今天為大家介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器,其雙向性允許電流發(fā)生器同時(shí)具備充電和放...

2022-08-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2123 0

分享使用MOSFET的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器

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回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級下工作,看過 CPU SMPS...

2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 3512 0

詳解MOS管的特性曲線

從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通電流。

2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFETMOS管特性曲線 4.5萬 0

米勒平臺形成的基本原理

由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)

2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電容米勒平臺 4.3萬 1

MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)

耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個(gè)參數(shù)的呢?

2022-08-29 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 4638 0

功率MOSFET的常見封裝與布局配置

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BLDC電機(jī)換向的原理  三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析

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ADA4571 使用各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù)。一種典型的實(shí)施方式是在 BLDC 電機(jī)軸的末端安裝一個(gè)徑向磁化圓盤。圓盤的磁場穿過傳感器的平面,并且...

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一鍵開關(guān)機(jī)電路方案分析

Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。

2022-08-24 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET開關(guān)機(jī)電路 2040 0

是否有適合汽車應(yīng)用的過壓和欠壓保護(hù)器件

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啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和關(guān)斷期間的負(fù)載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大,可能會對并非專用于極端條...

2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET比較器保護(hù)器件 915 0

MOS管損壞的五種原因

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2022-08-23 標(biāo)簽:電流MOSFETMOS管 3402 0

大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)應(yīng)用中的作用

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為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時(shí)間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會產(chǎn)生每厘米...

2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET控制器BLDC 2665 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...

2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 1980 0

自保護(hù)MOSFET提高了汽車電子設(shè)備的可靠性

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汽車行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對控制現(xiàn)代車輛中常見的無數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。

2022-08-22 標(biāo)簽:繼電器MOSFET汽車電子 785 0

有源橋優(yōu)化以太網(wǎng)供電設(shè)計(jì)

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設(shè)備電源輸入端使用的橋式整流器電路使其不受設(shè)備電源極性的影響。設(shè)備本身可能對電源的極性敏感,但橋式整流器可以配置為在電源極性反轉(zhuǎn)時(shí)為設(shè)備提供正確的極性。...

2022-08-22 標(biāo)簽:二極管MOSFET以太網(wǎng) 1183 0

為離線開關(guān)電源選擇最佳MOSFET

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了解 MOSFET 的結(jié)構(gòu)及其相互依賴的參數(shù)如何影響電源的性能

2022-08-22 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 825 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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