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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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高IOUT LDO穩(wěn)壓器具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)
最初,古老的3端子線性穩(wěn)壓器具有雙極結(jié)型晶體管(BJT)發(fā)射極跟隨器輸出,可提供非常低的輸出阻抗。當(dāng)今的許多應(yīng)用要求壓差低于第一代穩(wěn)壓器(1.5V),因...
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
開關(guān)導(dǎo)通時(shí),線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來...
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商,SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力...
2024-01-03 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝 918 0
開關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)分享
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 918 0
紅外測(cè)溫儀采用非接觸式紅外測(cè)溫槍進(jìn)行體溫篩查,是當(dāng)前新型冠狀病毒肺炎疫情監(jiān)測(cè)和排查的主要手段之一。在高速路口、火車站、飛機(jī)場、小區(qū)出入口、辦公樓宇出入口...
LT?8315 是一款具有集成式 630V/300mA 開關(guān)的高電壓反激式轉(zhuǎn)換器。LT8315 免除了增設(shè)光耦合器、復(fù)雜的次級(jí)側(cè)基準(zhǔn)電路、額外的啟動(dòng)組件...
2023-01-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電阻器 918 0
一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)芯片—U7715
同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān),可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 917 0
啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和關(guān)斷期間的負(fù)載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大,可能會(huì)對(duì)并非專用于極端條...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開關(guān)的真空管,使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)
從本文開始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì),比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):變壓器設(shè)計(jì)(數(shù)值計(jì)算)”中的思...
2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 909 0
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 909 0
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時(shí),能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。
2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 909 0
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