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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專(zhuān)注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.1萬(wàn) 0
如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流?
高端電流檢測(cè)放大器也可用于通過(guò)電源路徑中的電流檢測(cè)電阻測(cè)量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測(cè)量電流。
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬(wàn) 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類(lèi),是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的,平面型和溝槽型。
LLC諧振變換器中常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
LLC諧振變換器可以突破傳統(tǒng)諧振變換器的局限。正是由于這些原因,LLC諧振變換器被廣泛應(yīng)用在電源供電市場(chǎng)。LLC諧振半橋變換器拓?fù)淙鐖D1所示,其典型波形...
MOSFET是一種三端器件,其三個(gè)電極分別是柵極、漏極和源極。在MOSFET中,柵極可以控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬(wàn) 0
MOSFET,全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
這個(gè)DIY磁懸浮電路的主要部件是霍爾效應(yīng)傳感器和 MOSFET 晶體管和一個(gè)電磁線(xiàn)圈。我們之前使用電磁線(xiàn)圈構(gòu)建了其他有趣的項(xiàng)目,例如迷你特斯拉線(xiàn)圈、電磁...
2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET磁懸浮電磁線(xiàn)圈 1.1萬(wàn) 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.1萬(wàn) 0
有沒(méi)有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種de...
基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
功率場(chǎng)效應(yīng)管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)...
2018-12-25 標(biāo)簽:mosfet晶體管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 0
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。 我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOS...
mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個(gè)小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...
負(fù)載點(diǎn)電源的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
高電流的負(fù)載點(diǎn)電源(POL)應(yīng)用存在著一系列的挑戰(zhàn),包括高能效、合適的功率密度、可編程性和靈活性、具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)、嚴(yán)格的容限和精度、可靠的保護(hù)功能等...
LLC諧振電路參數(shù)選擇是一個(gè)折中的過(guò)程,需要結(jié)合輸入電壓范圍,輸出電壓范圍,負(fù)載范圍,效率指標(biāo)以及器件設(shè)計(jì)和選型等尋求一個(gè)優(yōu)化的結(jié)果,具體的需要通過(guò)ma...
48V-12V雙電池電源系統(tǒng)正普通用于輕度混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)。車(chē)輛的動(dòng)態(tài)工作條件可能需要在兩個(gè)電池軌道之間來(lái)回傳送高達(dá)10kW的電功率。由于移動(dòng)車(chē)輛中的各種...
2018-03-12 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制脈沖寬度調(diào)制 1.0萬(wàn) 1
國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競(jìng)品分析
工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車(chē)快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開(kāi)發(fā)的接近頂峰,S...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
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