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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關穩壓器可以采用單片結構,也可以通過控制器構建。在單片式開關穩壓器中,各功率開關(一般是MOSFET)會集成在單個硅芯片中。使用控制器構建時,除了控制...
基于LCC拓撲的半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子...
多年來,功率MOSFET一直是高功率應用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應用技術的進步,需要極高水平的電流。這些應用已達到功率水平要求,而一...
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓撲結構中SiC MOSFET的出現大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標簽:MOSFETSiC MOSFET 2960 0
與功率MOSFET相比,功率MOSFET中的SiC具有一系列優勢,例如更高的電導率,更低的開關速度和更低的傳導損耗[1] [2]-[6]。
根據柵極電壓,觀察負載R1上流過的電流,看看MOSFET的導電性能如何。相對圖如圖3所示。對于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
如果我們首先看一下電池管理器的元件,則需要高精度的電壓感應來確定鋰離子電池的充電狀態和溫度。
SiC如何實現比硅更好的熱管理?SiC在電子領域有哪些應用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導體具有很高的機械,化學和熱穩定性。寬...
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關頻率的影響
由于快速的開關,傳導損耗和擊穿電壓的增加,在現代工業應用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標簽:MOSFET開關頻率SiC MOSFET 7567 0
如何混合Si和SiC器件實現完整SiC MOSFET轉換器相同效率的調制方案
在現代時代,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)領域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉換器的需求已經增加,尤其是在電動汽車充電點的并網系統中[...
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉換器的設計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。65...
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
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