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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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纖巧高效的升壓轉(zhuǎn)換器可從5.3V總線產(chǎn)生3V/3A
LTC1700 采用一種恒定頻率、電流模式 PWM 控制方案。它的沒有R意義?特性意味著在主 MOSFET 上檢測電流,無需檢測電阻。這節(jié)省了成本和空間...
同步整流芯片U7612內(nèi)部集成有智能開通檢測功能,可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通,提高了系統(tǒng)效率及可靠性,是一款高頻率、...
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其2
上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)注意事項(xiàng)中的第一項(xiàng)。關(guān)鍵要點(diǎn)是要想提高輸出電流,需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET,提高開關(guān)速...
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
使用電機(jī)試驗(yàn)臺的測試結(jié)果,按照油耗測試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。
三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
雙輸出高效率轉(zhuǎn)換器可將功率損耗和電源噪聲降至最低
LTC?3890 雙輸出 DC/DC 控制器為需要從高電壓輸入提供低電壓輸出的應(yīng)用帶來了高性能功能的獨(dú)特組合。它可以從0V至8V的輸入電壓產(chǎn)生兩個(gè)24....
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 672 0
去數(shù)十年來,電子產(chǎn)品的發(fā)展可謂一日千里。以個(gè)人通信設(shè)備為例,由最初的奢侈品到現(xiàn)在的廣泛普及,電子產(chǎn)品無論從重量、體積還是效率,都有了翻天覆地的變化。但是...
2020-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet封裝 671 0
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管功率器件 671 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出
碳化硅(SiC)MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)設(shè)備的電流更大,那么它就會加熱,相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣,過...
數(shù)明半導(dǎo)體新推雙通道30V, 5A/5A的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列,支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電,滿足更高...
如何使用BLDC電機(jī)克服緊湊電機(jī)控制系統(tǒng)面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
當(dāng)更改柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)時(shí),IDRIVE 會應(yīng)用于 tDRIVE 周期,該周期必須足夠長,才能確保柵極電容完全充電或放電。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),選擇 tDRIVE 時(shí)應(yīng)...
2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFETBLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器 667 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 664 0
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 663 0
LTC3623可實(shí)現(xiàn)緊湊和可靠的解決方案
單個(gè)電阻用于設(shè)置器件的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。可調(diào)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓設(shè)置輸出電壓,并允許輸出電壓在軌到軌(0V至V)范圍內(nèi)工作在.基準(zhǔn)電壓可直接作為音頻驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),或配...
2023-01-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 662 0
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導(dǎo)通狀態(tài)柵極電壓,VGS...
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?cè),從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜...
2023-04-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 657 0
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