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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在高頻率下切換高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的利弊分析
為了解釋這些權(quán)衡,德州儀器工程師建造了三個獨立的電源,每個電源的開關(guān)頻率分別為100,300和750 kHz。如應(yīng)用筆記“設(shè)計高頻,高輸入電壓DC/DC...
2019-01-28 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器mosfet 4271 0
在幾十年的時間里,制造商對基本設(shè)計進(jìn)行了改進(jìn),設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準(zhǔn)。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
利用無光反激轉(zhuǎn)換器芯片簡化隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
除了用于電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)外,許多其他噪聲敏感應(yīng)用也需要隔離直流輸出,如汽車電池充電,各種電子負(fù)載的中間總線電壓和工業(yè)輸入。雖然反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式D...
2019-03-15 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器mosfet 4459 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計與數(shù)字實現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢有哪些?
深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗,還具有多種其他優(yōu)...
汽車控制單元模塊主要集中在比如電機(jī)控制、EPS、新能源車的輕混水泵、油泵等上面。富士通的代理品牌 SHINDENGEN(新電元)目前在市場主推的除了小功...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.9萬 0
從事開發(fā)近20年的工程師,談開關(guān)電源產(chǎn)品設(shè)計要訣!
從2000年開始進(jìn)入開關(guān)電源產(chǎn)品行業(yè),一直從事開關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計和開發(fā),對開關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計,產(chǎn)品制造工藝以及應(yīng)用都有豐富的經(jīng)驗。
2019-01-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源工程師 0 0
對于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場,功率器件新局面正式開啟
進(jìn)一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
美國佛羅里達(dá)大學(xué)、美國海軍研究實驗室和韓國大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6118 0
電子開關(guān)一種基于集成電路技術(shù)的智能型器件
AAT4610將6V/2A的P溝道MOSFET場效應(yīng)管與柵極驅(qū)動器、電壓基準(zhǔn)、限流比較器和欠壓閉鎖電路組合在SOT-23-5封裝中(如圖2)。其中MOS...
2018-12-06 標(biāo)簽:電路MOSFET電子開關(guān) 5413 0
淺析MOSFET電容在LLC串聯(lián)諧振電路中的應(yīng)用
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。
半導(dǎo)體世界可能會有一個新的參與者,它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。
2018-11-20 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 5185 0
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
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