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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它...
本視頻簡要介紹MAX17761,器件為4.5V–76V、1A、高效、同步降壓型DC-DC轉換器,帶有內部補償,支持高效率和低溫升。
This video provides an introduction to the MAX17633 family of parts (MAX1763...
根據MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩定性不如NXP MOSFET,因為NXP的熱穩定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標簽:MOSFET 2973 0
MOSFET場效應管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡單,易于調試,性能可靠,逆變和充電自動轉換,帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又較低,適合電子愛好者組裝。
米勒效應在MOS驅動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應,在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值,過后GS電...
在有刷電機中,磁極方向的跳轉是通過移動固定位置的接觸點來完成的,該接觸點在電機轉子上與電觸點相對連接。這種固定觸點通常由石墨制成,與銅或其他金屬相比,在...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
從發射極注入的hole電流,將分成1和2兩個部分。由于base為n摻雜,所以當hole電流流經base的時候,將會有電子空穴對的復合產生,消耗空穴電流,...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅動電路設計中的特點分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
在汽車環境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級別,就有必要定義這種強大的功能(多虧了SOA)。
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關于計算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
最近,國內對MOSFET的需求大漲,導致業內缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯網、3C產品、云端...
東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET,新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助。
三菱電機開發了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內部采用半橋拓撲,一般的大功率應用可以采用并聯連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
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