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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實(shí)現(xiàn)承諾的效率增益
互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰(shuí)首先創(chuàng)造了“無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞,但它一定是在異想天開(kāi)和靈感的時(shí)刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中,該電路可以實(shí)現(xiàn)功率...
MRigidCSP 技術(shù):移動(dòng)設(shè)備電池管理應(yīng)用的突破
AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專(zhuān)為電池管理應(yīng)用而定制。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AO...
電力場(chǎng)效應(yīng)管(特別是MOSFET)的安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)是指在該區(qū)域內(nèi),MOSFET能夠安全、穩(wěn)定地工作,而不會(huì)...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 512 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開(kāi)始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
Diodes公司高速視頻開(kāi)關(guān)PI3WVR41產(chǎn)品介紹
PI3WVR41310 是一款寬電壓、支持多種標(biāo)準(zhǔn)、4 通道的3:1 多路復(fù)用/1:3 解復(fù)用視頻開(kāi)關(guān)。此器件支持 DisplayPort 2.1 (U...
2024-08-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器Diodes 507 0
單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方案-PN8143T
一、概述PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。PN8143T單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方...
2024-11-01 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源智能電表 506 0
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
2024-10-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 504 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 503 0
現(xiàn)代設(shè)備智能化和可定制程度不斷提高,用戶(hù)也提出更小、更強(qiáng)大的要求。處理能力的增強(qiáng)推動(dòng)了以更高功率密度管理散熱的技術(shù)需求。MPS始終致力于創(chuàng)新并創(chuàng)建具有尖...
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
電壓不超過(guò)5 V時(shí),在反向偏置結(jié)的耗盡區(qū),電子從價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)電帶形成電子貫穿,從而產(chǎn)生電擊穿。一旦電場(chǎng)強(qiáng)度足夠高,自由電荷載流子就會(huì)導(dǎo)致反向電流陡然增加。...
蘋(píng)果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 502 0
當(dāng)今電源 IC的高度發(fā)展要求性能卓越的功率電感。構(gòu)建通用封裝的標(biāo)準(zhǔn)電源將有助于減少設(shè)計(jì)時(shí)間和生產(chǎn)成本。 而要在 PCB 空間以及散熱和成本效率方面實(shí)現(xiàn)最...
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
現(xiàn)代起亞電動(dòng)汽車(chē)ICCU故障分析
EMP平臺(tái)的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力喪失事件與車(chē)輛的ICC(集成控制充電單元)故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián),ICCU負(fù)責(zé)為HV(高電壓)電池和LV(低電壓)12V電池供電...
2023-08-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET晶體管 500 0
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 497 0
如何利用艾德克斯IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)...
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技巧分享
了解您所面臨的設(shè)計(jì)權(quán)衡非常重要。為了幫助你,在降壓設(shè)計(jì)中開(kāi)發(fā)了一個(gè)“影響什么”的矩陣
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET示波器降壓轉(zhuǎn)換器 497 0
利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力
終端用戶(hù)希望新的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車(chē)輛的空閑時(shí)間,尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。
2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET充電器 493 0
高級(jí)負(fù)載診斷功能助力縮短24 VDC配電的工廠停機(jī)時(shí)間
在工業(yè) 4.0 時(shí)代,診斷數(shù)據(jù)量逐年遞增,使系統(tǒng)變得更智能,能夠保持更長(zhǎng)的在線時(shí)間,并最終提高生產(chǎn)力。在可編程邏輯控制器 (PLC) 系統(tǒng)、機(jī)器人和機(jī)床...
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