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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強度...
學電源電源看這里,這次我們分享一下開關電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負載提供能量的同時也在燃燒自己,在電源設計時大家會很仔細的去分析負載的需求...
功率半導體開關通常在用于電路設計時,能夠在不增加開關損耗的情況下減小電流傳導期間的損耗,這是其一大優勢。在各種電路保護應用中,器件需要連續傳送電流,較低...
基于IR2130驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路的設計
功率場效應管自身擁有眾多優點,但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應用場合,所以在應用功率MOSFET對必須為其設計合理的保護...
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態,工作頻率較高,發熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應遵循以下原則:首先,盡量用原型...
通過軟件設計0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件并進行仿真實驗
近年來全球范圍內出現了新一輪的太空探索熱潮,世界各主要航天大國相繼出臺了一系列雄心勃勃的航天發展規劃。空間技術的迅猛發展,使各種電子設備已經廣泛應用于人...
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內部結構特點及功能分析
尼康公司的D2H單反數字相機中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數方式、內部結構等方面有了較大改進,與CCD、CMOS圖像...
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉換器消除米勒效應
設計電源時,工程師常常會關注與MOSFET導通損耗有關的效率下降問題。在出現較大RMS電流的情況下, 比如轉換器在非連續導電模式(DCM)下工作時,若選...
采用2SD315AI-33模塊實現高性能的IGBT驅動保護電路的設計
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管...
飛兆開發出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導體 (NYSE: FCS) 開發出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1...
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