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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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性能再攀升—電源管理ic U6239D

秋天的氣溫會下降，且空氣濕度較低，可能會導致皮脂腺油脂分泌減少，從而導致出現(xiàn)皮膚干燥、起皮等癥狀。

2023-09-25 標簽：MOSFET 控制器電源管理IC 465 0

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設計

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簡述同步整流芯片U7613X的工作原理

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哪些場景只能用三極管而不能用MOSFET

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2023-05-08 標簽：變壓器 MOSFET VDD 460 0

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2024-12-06 標簽：MOSFET 檢測碳化硅 460 0

門極驅動正壓對功率半導體性能的影響

對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會...

2024-05-11 標簽：MOSFET IGBT 功率半導體 458 0

在橋式結構中的注意事項—探頭的CMRR

在對橋式結構中的高邊(HS)MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會...

2023-04-13 標簽：MOSFET 波形探頭 458 0

PSR原邊反饋電源管理芯片U6217介紹

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2024-10-27 標簽：MOSFET 元器件電源管理芯片 457 0

電源功能安全

所示輸入為工業(yè)中的 24V 直流電源。通常，即使在發(fā)生故障時，這些電源也限制在低于 60V DC。如果電壓監(jiān)視器未指定為60V，則如圖所示的解決方案是使...

2023-06-28 標簽：電源芯片 MOSFET 456 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

2023-12-15 標簽：MOSFET 半導體 SiC 455 0

熱敏電阻線性化電流限制

降壓型DC-DC轉換器設計的最新進展已經(jīng)消除了檢流電阻，而是用壓降代替低側MOSFET（同步整流器）兩端。這種拓撲結構節(jié)省了檢測電阻的成本和空間，并適度...

2023-02-07 標簽：轉換器 MOSFET DC-DC 454 0

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2023-02-28 標簽：MOSFET 等效電路 SiC 453 0

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2024-11-11 標簽：MOSFET 功率放大器安森美 451 0

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2023-06-09 標簽：原理圖 MOSFET 穩(wěn)壓器 451 0

用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂...

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碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務器電源中的應用

服務器作為網(wǎng)絡的節(jié)點存儲，處理著網(wǎng)絡上80％以上的數(shù)據(jù)和相關信息，需要24*7不間斷運行，承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務，這主要歸功于其高性能、高...

2023-02-16 標簽：MOSFET 半導體 MOS管 444 0

560V輸入、無光隔離反激式轉換器

在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉換器中，使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?，從而實現(xiàn)嚴格的穩(wěn)壓。問題在于，光耦合器大大增加了隔離設計的復雜...

2023-05-05 標簽：轉換器 MOSFET 光耦合器 444 0

IGBT柵極驅動關鍵注意事項

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