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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9601 0
小信號MOSFET橋驅(qū)動設(shè)計(jì)MC34063擴(kuò)流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號MOSFET橋驅(qū)動,后級功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當(dāng)?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動器 9588 0
前言:不對稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過占空比調(diào)整半橋開關(guān)的高端開關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對輸出電壓的控制,通過使用占空比調(diào)節(jié)方...
很多現(xiàn)代便攜式設(shè)備發(fā)貨時都必須安裝電池,以便客戶無需電池安裝或充電便可立即開啟設(shè)備。如果連接至電池的組件有過量電流泄漏,那設(shè)備到客戶手中時可能就沒電了。...
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說,前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師,本文的讀者就...
介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時,這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時,VDS電壓都要降額80%選用。
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來做放大電路時,就是工...
芯品# MPQ6653具有集成功率MOSFET和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動器
MPQ6653-AEC1 是一款具有集成功率 MOSFET 和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動器。它具有5.5V 至 35V 的輸...
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對...
2023-11-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIC設(shè)計(jì) 9343 0
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 9278 0
只要是學(xué)過《電力電子技術(shù)》這門課程,接觸過一個名叫“Buck電路”的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如下圖所示。
2023-10-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 9237 0
高頻開關(guān)電源的特點(diǎn)及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成
高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作,開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2019-09-09 標(biāo)簽:蓄電池mosfet高頻開關(guān)電源 9232 0
如圖,電流分?jǐn)U散電流和漂移電流,工作時的mosfet電流很大,主要是漂移電流,因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 標(biāo)簽:電容器MOSFET場效應(yīng)管 9218 0
繼電器是一種機(jī)電設(shè)備,它使用電磁鐵將一對可移動觸點(diǎn)從打開位置操作到關(guān)閉位置。
2023-03-24 標(biāo)簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 9180 0
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲能的電壓自舉電路通常是利用電容對電荷的存儲作用來實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 9171 0
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